[发明专利]对基底进行离子注入的方法

说明书

本发明公开一种对基底进行离子注入的方法，首先，提供一基底，接着形成一材料层于该基底上，其中该材料层的厚度介于100埃至200埃之间，然后形成一图案化光致抗蚀剂层于该材料层上，以及对该基底进行一离子注入步骤。

技术领域

本发明涉及半导体制作工艺领域，尤其是涉及一种提高离子注入制作工艺良率的方法。

背景技术

在半导体制作工艺中，离子注入制作工艺应用非常普遍。例如形成晶体管的源/漏极，或是于基底中形成n型阱、p型阱等，都需要将特定种类的离子注入基底中。因此，离子注入制作工艺的优劣，将会影响到后续半导体元件的良率。而在离子注入中所遇到的各种可能问题，也需要找寻合适的方法克服。

发明内容

本发明提供一种对基底进行离子注入的方法，首先，提供一基底，接着形成一材料层于该基底上，其中该材料层的厚度介于100埃至200埃之间，然后形成一图案化光致抗蚀剂层于该材料层上，以及对该基底进行一离子注入步骤。

本发明的特征在于，在基底上额外形成一材料层，该材料层覆盖于基底上，当基底上有一些残留物时(例如执行清洗步骤后所残留的酸或碱，或是基底本身即带有酸或碱的特性)，材料层可以覆盖这些残留物，避免酸/碱物质直接与光致抗蚀剂层接触而导致光致抗蚀剂层的脱落或残留，且材料层的厚度仅有100埃至200埃，因此也不会影响后续的曝光显影与离子注入步骤。

附图说明

图1绘示本发明一基底上包含有酸/碱物质位于基底上的半导体结构示意图；

图2绘示本发明形成一材料层与一光致抗蚀剂层于基底上的半导体结构示意图；

图3绘示进行一显影步骤以及接着进行一离子注入步骤之后的半导体结构示意图。

主要元件符号说明

10 基底

12 酸/碱物质

14 材料层

16 光致抗蚀剂层

16’ 光致抗蚀剂层

P1 离子注入步骤

具体实施方式

为使熟悉本发明所属技术领域的一般技术者能更进一步了解本发明，下文特列举本发明的较佳实施例，并配合所附附图，详细说明本发明的构成内容及所欲达成的功效。

为了方便说明，本发明的各附图仅为示意以更容易了解本发明，其详细的比例可依照设计的需求进行调整。在文中所描述对于图形中相对元件的上下关系，在本领域的人皆应能理解其是指物件的相对位置而言，因此皆可以翻转而呈现相同的构件，此皆应同属本说明书所揭露的范围，在此容先叙明。