[发明专利]高压半导体器件在审
| 申请号： | 201610768991.7 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106653849A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 卡西克·穆如克桑;邱奕正;林宏洲;詹智元;陈益民;张震谦;钟久华;杨富智;蔡俊琳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
晶体管，包括：
源极区域；和
漏极区域；
隔离组件，围绕所述源极区域；
导电层，被配置为用于所述漏极区域的互连；以及
导电组件，介于所述导电层与所述隔离组件之间，被配置为为了所述隔离组件而屏蔽所述隔离组件上方的电场。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电组件设置在所述隔离组件上。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述导电组件覆盖整个所述隔离组件。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述导电组件覆盖所述隔离组件的一部分。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电组件被配置为被电压电平偏置。
6.一种半导体器件，包括：
晶体管，包括：
源极区域，位于第二阱区内的第一阱区中；和
漏极区域，位于所述第二阱区中；
隔离组件，围绕所述源极区域；以及
导电组件，被配置为有助于电荷在所述第二阱区中的累积，其中，所述电荷具有与所述第二阱区的多数载流子相同的电类型。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述导电组件被配置为被电压电平偏置。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述导电组件设置在所述隔离组件上。
9.一种半导体器件，包括：
NMOS晶体管，包括：
源极区域，位于n阱内的p阱中；和
漏极区域，位于所述n阱中；
隔离组件，围绕所述源极区域；
导电组件，被配置为有助于负电荷在所述n阱中的累积，其中，所述负电荷具有与所述n阱的多数载流子相同的电类型；以及
第二导电组件，被配置为有助于所述负电荷在所述n阱中的的累积。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一导电组件延伸至所述隔离组件上方并且通过接触件耦合至所述源极。
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