[发明专利]高压半导体器件在审

申请号：	201610768991.7	申请日：	2016-08-30
公开（公告）号：	CN106653849A	公开（公告）日：	2017-05-10
发明（设计）人：	卡西克·穆如克桑;邱奕正;林宏洲;詹智元;陈益民;张震谦;钟久华;杨富智;蔡俊琳	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L29/78	分类号：	H01L29/78;H01L29/40
代理公司：	北京德恒律治知识产权代理有限公司11409	代理人：	章社杲,李伟
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	高压半导体器件
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【说明书】：

技术领域

本发明总体涉及半导体领域，更具体地，涉及高压半导体器件。

背景技术

高压或超高压金属氧化物半导体(MOS)晶体管器件广泛用于各种应用。超高压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)通常被制造具用共面的漏极和源极区域。通常，超高压MOS晶体管器件可以耐受数百伏(诸如300V或以上)的漏极电压。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：晶体管(包括源极区域；和漏极区域)；隔离组件，围绕所述源极区域；导电层，被配置为用于所述漏极区域的互连；以及导电组件，介于所述导电层与所述隔离组件之间，被配置为为了所述隔离组件而屏蔽所述隔离组件上方的电场。

优选地，所述导电组件设置在所述隔离组件上。

优选地，所述导电组件覆盖整个所述隔离组件。

优选地，所述导电组件覆盖所述隔离组件的一部分。

优选地，所述导电组件延伸至所述源极区域上。

优选地，所述导电组件被配置为被电压电平偏置。

优选地，所述导电组件延伸至所述隔离组件上方。

优选地，所述导电组件被配置为被电压电平偏置。

优选地，所述导电组件包括选自多晶硅和金属中的一种的材料。

根据本发明的另一方面，提供了一种半导体器件，包括：晶体管，包括：源极区域，位于第二阱区内的第一阱区中；和漏极区域，位于所述第二阱区中；隔离组件，围绕所述源极区域；以及导电组件，被配置为有助于电荷在所述第二阱区中的累积，其中，所述电荷具有与所述第二阱区的多数载流子相同的电类型。

优选地，所述导电组件被配置为被电压电平偏置。

优选地，所述导电组件设置在所述隔离组件上。

优选地，所述导电组件覆盖整个所述隔离组件。

优选地，所述导电组件覆盖所述隔离组件的一部分。

优选地，所述导电组件延伸至所述源极区域上。

优选地，所述导电组件耦合至所述源极区域。

优选地，该半导体器件还包括：第二导电组件，位于所述隔离组件上。

根据本发明的又一方面，提供了一种半导体器件，包括：NMOS晶体管(包括源极区域，位于n阱内的p阱中；和漏极区域，位于所述n阱中)；隔离组件，围绕所述源极区域；导电组件，被配置为有助于负电荷在所述n阱中的累积，其中，所述负电荷具有与所述n阱的多数载流子相同的电类型；以及第二导电组件，被配置为有助于所述负电荷在所述n阱中的的累积。

优选地，所述第一导电组件延伸至所述隔离组件上方并且通过接触件耦合至所述源极。优选地，所述第二导电组件设置在所述隔离组件上并且被配置为被电压电平偏置。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。

图1A是根据本发明的一些实施例的半导体器件的布局顶视图。

图1B是根据本发明的一些实施例的沿着线A-A’截取的图1A所示的半导体器件的截面图。

图2是根据本发明的一些实施例的半导体器件的示图。

图3是根据本发明的一些实施例的半导体器件的示图。

图4是根据本发明的一些实施例的半导体结构的示图。

图5A是根据本发明的一些实施例的示出了根据本发明的晶体管的以及现有晶体管的源极浮置能力的示图。

图5B是根据本发明的一些实施例的示出了根据本发明的晶体管的以及现有晶体管的源极浮置能力的示图。

图6A是根据本发明的一些实施例的半导体器件的布局顶视图。

图6B是根据本发明的一些实施例的沿着线A-B截取的图6A所示的半导体器件的截面图。