[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：

提供一半导体基材；

形成一层在该半导体基材上，其中该层包含一高分子链、一漂浮性添加剂成分及一挥发性添加剂成分，该挥发性添加剂成分包含一金属阳离子，且形成该层的步骤还包含：

在该金属阳离子及一或多个阴离子之间形成一或多个键，其中该一或多个阴离子的每一者为一保护基及一高分子链键结成分的一者，且该高分子链键结成分是与该层的该高分子链键结；

使该漂浮性添加剂成分漂移至邻近该层的一上表面的一区域；以及

以一辐射对该层进行曝光。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，以该辐射对该层进行曝光的步骤时，该一或多个键保持相同。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该金属阳离子是选自于由铯、钡、镧及铈所组成的一族群的一金属的一阳离子。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该保护基包含至少4个碳原子。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该高分子链键结成分包含选自于由具有氢或卤素的碳数1至9的一单元、-S-、-P-、-P(O₂)-、-C(＝O)S-、-C(＝O)O-、-O-、-N-、-C(＝O)N-、-SO₂O-、-SO₂S-、-SO-、-SO₂-、羧酸、醚、酮及酯单元所组成的一族群的至少一者。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该一或多个键还包含：

一第一键，以键结该金属阳离子及该保护基；以及

一第二键，以介于该金属阳离子及该高分子链键结成分之间。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，形成该层的步骤包含：

沉积一光阻层在该基材上，其中该光阻层包含一酸产生剂；

其中以该辐射对该层进行曝光的步骤还包含：

利用该挥发性添加剂成分吸收一超紫外光且产生一二次电子；

以及

该光阻层的该酸产生剂利用该二次电子的能量以产生酸。

8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：

形成一感光层在一半导体基材上，其中该感光层包含一高分子链及一添加剂成分，且该添加剂成分包含：

一金属；以及

一保护基及一高分子链键结成分的至少一者，其中该高分子链键结成分是与该感光层的该高分子链键结；

其中该金属是利用一或多个键将该保护基与该高分子链键结成分的至少一者键结，其中该保护基包含以下化学式(I)：

其中包含一碳链，该碳链的碳数为1至10，其中该R3包含选自由-S-、-P-、-P(O₂)-、-C(＝O)S-、-C(＝O)O-、-O-、-N-、-C(＝O)N-、-SO₂O-、-SO₂S-、-SO-及-SO₂-所组成的一族群的至少一者，其中该R4包含三级碳；

以一辐射对该感光层进行选择性曝光；以及

对该感光层施以一显影剂，其中该显影剂移除该感光层被该辐射曝光的多个区域。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在对该感光层进行选择性曝光的步骤之前，该感光层的该添加剂成分具有疏水性，且

在对该感光层进行选择性曝光的步骤之后，该感光层被该辐射曝光的所述多个区域的该添加剂成分具有亲水性。

10.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，形成该感光层的步骤使该保护基经由一第一键与该金属键结，该高分子链键结成分经由一第二键与该金属键结，该高分子链键结成分经由一第三键与该感光层的该高分子链键结。