[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供一种半导体装置的制造方法。提供半导体基材。形成包含感光性添加剂成分的图案化层在半导体基材上。感光性添加剂成分包含金属阳离子。在金属阳离子及一或多个阴离子之间形成一或多个键。一或多个阴离子的每一者为保护基及高分子链键结成分的一者。高分子链键结成分与图案化层的高分子链键结。以辐射对半导体基材进行曝光。

技术领域

本发明是关于一种半导体装置的制造方法，特别是关于利用感光材料进行微影制程的方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)产业已经历快速成长。IC材料及设计的技术进步已生产许多世代的IC，且每一世代都较前一代具有较小及更复杂的电路。然而，这些进步增加了制造及生产IC的复杂度，且为了达成这些进步，IC制造及生产上类似的开发是必要的。在IC发展的过程中，功能密度(即每个芯片面积中交联装置的数目)普遍随着几何尺寸(即一次制程所能创造最小的组件(或线))的减小而增加。

当半导体装置尺寸持续的缩小，例如低于20纳米节点，传统微影技术有光学上的限制，导致分辨率问题，且可能无法达到目标微影效果。相较之下，极紫外线(extremeultraviolet，EUV)微影可实现明显较小的装置尺寸。然而，EUV微影仍然有光阻相关的缺点，例如相对于灵敏度及/或效率的缺点。因此，微影效果会打折或降低。

因此，须要提供一种制程及材料，以减少、最小化或去除上述图案化材料的问题。

发明内容

本发明的一方面为提供一种半导体装置的制造方法。在一实施例中，此方法包含提供半导体基材。形成图案化层在半导体基材上，其中图案化层包含感旋光性添加剂成分。感旋光性添加剂成分包含金属阳离子。形成图案化层的步骤还包含在金属阳离子及一或多个阴离子之间形成一或多个键，其中一或多个阴离子的每一者为保护基及高分子链键结成分的一者，且高分子链键结成分与图案化层的高分子链键结。以辐射对半导体基材进行曝光。

本发明的另一方面提供一种导体装置的制造方法。在一实施例中，此方法包含形成感光层在半导体基材上，其中感光层包含感旋光性添加剂成分。感旋光性添加剂成分包含金属以及保护基及高分子链键结成分的至少一者。高分子链键结成分与感光材料的高分子链键结。金属利用一或多个键将保护基与高分子链键结成分的至少一者键结。以辐射对感光层进行选择性曝光。对感光层施以显影剂，以移除感光层被辐射曝光的多个区域。

本发明的又一方面为半导体装置的制造方法，包含形成第一添加剂层在目标基材上，其中第一添加剂层包含感旋光性添加剂成分，且感旋光性添加剂成分包含金属。形成光阻层，其中光阻层包含邻近于第一添加剂层的酸产生剂。利用辐射对目标基材进行曝光，其中目标基材具有第一添加剂层及设于第一添加剂层上的光阻层。第一添加剂层的添加剂成分吸收辐射并产生二次电子，且光阻层的酸产生剂利用二次电子的能量产生酸。

附图说明

根据以下详细说明并配合阅读附图，使本发明的实施方式获致较佳的理解。须注意的是，根据业界的标准作法，附图的各种特征并未按照比例绘示。事实上，为了进行清楚的讨论，特征的尺寸可以经过任意的缩放。

图1是根据本发明各种实施方式的半导体装置的制造方法的一实施例的流程图；

图2是根据本发明各种实施方式的形成图案化层的方法的一实施例的流程图；

图3是根据本发明各种实施方式的形成图案化层的方法的一实施例的流程图；

图4A是根据本发明各种实施方式的形成图案化层的方法的一实施例的流程图；

图4B是根据本发明各种实施方式的形成图案化层的方法的一实施例的流程图；

图4C是根据本发明各种实施方式的形成图案化层的方法的一实施例的流程图；

图4D是根据本发明各种实施方式的形成图案化层的方法的一实施例的流程图；