[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部；

在所述鳍部中形成阻挡层，所述阻挡层中具有阻挡离子；

形成所述阻挡层后，在所述鳍部中形成防穿通层，所述阻挡层的顶部表面高于或齐平于所述防穿通层的顶部表面，所述防穿通层中具有防穿通离子，所述防穿通离子的导电类型和所述阻挡离子的导电类型相反；

形成所述防穿通层后，进行退火处理；

形成所述阻挡层的方法包括：在所述半导体衬底上形成初始隔离结构，所述初始隔离结构覆盖部分鳍部的侧壁；在所述初始隔离结构暴露出的鳍部表面形成保护层；形成所述保护层后，去除部分厚度的初始隔离结构，形成隔离结构，所述隔离结构和所述保护层暴露出部分鳍部；在所述隔离结构和所述保护层暴露出的鳍部中形成阻挡层；所述隔离结构的表面低于所述阻挡层的顶部表面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述鳍部的顶部表面具有掩膜层；

形成所述保护层的方法包括：在所述初始隔离结构暴露出的鳍部侧壁形成侧壁保护层；所述侧壁保护层和所述掩膜层构成保护层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为氮化硅或氮碳化硅；所述侧壁保护层的材料为氮化硅、氮碳化硅或氮碳硼化硅。

4.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述侧壁保护层还位于所述掩膜层的侧壁；

形成所述侧壁保护层的方法包括：在所述初始隔离结构上、鳍部和掩膜层的侧壁表面、以及掩膜层的顶部表面形成初始侧壁保护层；回刻蚀所述初始侧壁保护层直至暴露出初始隔离结构表面和掩膜层的顶部表面，形成侧壁保护层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为15埃～50埃。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述隔离结构和保护层暴露出的鳍部在垂直于半导体衬底表面方向的尺寸为15埃～300埃。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述隔离结构和所述保护层暴露出的鳍部中形成阻挡层的方法为：采用第一离子注入工艺在所述隔离结构和保护层暴露出的鳍部中注入阻挡离子。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，当所述防穿通离子的导电类型为P型时，所述阻挡离子的导电类型为N型。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述阻挡离子为磷离子；所述第一离子注入工艺的参数包括：注入剂量为1.0E12atom/cm²～5.0E13atom/cm²，注入能量为5KeV～20KeV，注入角度为10度～30度。

10.根据权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述阻挡离子为砷离子；所述第一离子注入工艺的参数包括：注入剂量为1.0E12atom/cm²～5.0E13atom/cm²，注入能量为8KeV～30KeV，注入角度为10度～30度。

11.根据权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，当所述防穿通离子的导电类型为N型时，所述阻挡离子的导电类型为P型。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述阻挡离子为硼离子；所述第一离子注入工艺的参数包括：注入剂量为1.0E12atom/cm²～8.0E13atom/cm²，注入能量为1KeV～10KeV，注入角度为10度～30度。