[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

层间绝缘层和导电图案，所述层间绝缘层和导电图案在管栅之上交替地层叠；

第一狭缝和第二狭缝，所述第一狭缝和第二狭缝贯穿所述层间绝缘层和所述导电图案，并且彼此交叉；

刻蚀停止焊盘槽，与所述第一狭缝和所述第二狭缝的相交部分交叠，布置在所述管栅中，并连接至所述第一狭缝或所述第二狭缝；以及

狭缝绝缘层，填充所述第一狭缝、所述第二狭缝以及所述刻蚀停止焊盘槽。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

上管道槽，布置在所述管栅中，所述管栅沿彼此交叉的第一方向和第二方向延伸；

上管道沟道层，布置在所述上管道槽中；以及

至少一对上沟道柱，从所述上管道沟道层朝与所述管栅的表面垂直的第三方向延伸，并且贯穿所述层间绝缘层和所述导电图案。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述刻蚀停止焊盘槽布置在与所述上管道槽相同的高度处。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二狭缝布置在所述至少一对上沟道柱之间，并且沿着所述第一方向延伸。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：

下管道槽，布置在所述管栅中，并且在比所述上管道槽低的高度处与所述上管道槽间隔开；

下管道沟道层，布置在所述下管道槽中；以及

至少一对下沟道柱，在第三方向上从所述下管道沟道层延伸，并且贯穿所述层间绝缘层和所述导电图案。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述下管道槽布置在比所述刻蚀停止焊盘槽低的高度处。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述狭缝绝缘层包括：

第一狭缝绝缘层，填充所述第一狭缝和所述刻蚀停止焊盘槽；以及

第二狭缝绝缘层，填充所述第二狭缝。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：

刻蚀停止焊盘槽，沿所述第一狭缝延伸；以及

虚设孔，贯穿在所述第一狭缝和所述刻蚀停止焊盘槽之间的管栅，其中，所述虚设孔用所述第一狭缝绝缘层来填充。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述狭缝绝缘层包括：

第一狭缝绝缘层，填充所述第一狭缝；以及

第二狭缝绝缘层，填充所述第二狭缝和所述刻蚀停止焊盘槽。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括：

刻蚀停止焊盘槽，沿所述第二狭缝延伸；以及

虚设孔，贯穿在所述第二狭缝与所述刻蚀停止焊盘槽之间的管栅，其中，所述虚设孔用所述第二狭缝绝缘层来填充。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述狭缝绝缘层中的至少一个包括沿着所述刻蚀停止焊盘槽与所述管栅的内表面共面的底表面，并且延伸以完全填充所述刻蚀停止焊盘槽。

12.一种半导体器件的制造方法，所述制造方法包括：

形成管栅，在所述管栅中形成用刻蚀停止图案填充的刻蚀停止焊盘槽；

在所述管栅之上交替地层叠第一材料层和第二材料层；

形成第一狭缝，所述第一狭缝贯穿所述第一材料层和所述第二材料层，并且与所述刻蚀停止图案交叠；

通过经由所述第一狭缝去除所述刻蚀停止图案来敞开所述刻蚀停止焊盘槽；

形成填充所述第一狭缝和所述刻蚀停止焊盘槽的第一狭缝绝缘层；以及

形成贯穿所述第一材料层和所述第二材料层的第二狭缝，在所述第一狭缝和所述刻蚀停止焊盘槽的交叠部分处所述第二狭缝与所述第一狭缝交叉。

13.根据权利要求12所述的制造方法，其中，所述刻蚀停止图案包括氮化钛、钨、硅化钨、硅化钴以及硅化镍中的至少一种。