[发明专利]一种低硬度阻尼硅胶缓冲材料及其制备方法

权利要求书

1.一种低硬度阻尼硅胶缓冲材料，其特征在于：按质量份数计，包括如下组分：

液态硅胶60-70份、甲基乙烯基硅油30-40份、含氢硅油2-3份、甲基MQ硅树脂2-3份、甲基乙烯基MQ硅树脂8-12份、苯基乙烯基MQ硅树脂2-3份、铂金催化剂0.8-1.1份、抑制剂0.02-0.03份以及烯丙基聚硅氧烷5-10份；

其中，液态硅胶为聚二甲基硅氧烷，含氢硅油中的含氢量为0.4-0.8wt/％；

所述液态硅胶的粘度为在25℃下10000-100000mpa·s，所述甲基乙烯基硅油的粘度为在25℃下10000-100000mpa·s。

2.根据权利要求1所述的低硬度阻尼硅胶缓冲材料，其特征在于：所述铂金催化剂为铂黑、氯化铂、氯铂酸与一元醇的络合物、氯铂酸与烯烃类的络合物、铂乙烯基硅氧烷的螯合物或乙酰乙酸铂中的一种或至少两种的组合。

3.根据权利要求1所述的低硬度阻尼硅胶缓冲材料，其特征在于：所述抑制剂为乙炔基环己醇、环状乙烯基硅氧烷、四乙烯基四甲基环四硅氧烷或苯并三唑中一种或至少两种的组合。

4.根据权利要求1所述的低硬度阻尼硅胶缓冲材料，其特征在于：还包括有机钛化合物，所述有机钛化合物为钛酸正丁酯、钛酸异丁酯、二甲氧基甲基乙酰乙酸钛、二异丙氧基乙酰丙酮钛、二异丙氧基乙基乙酰乙酸钛或二异丙氧基甲基乙酰乙酸钛中一种或至少两种的组合。

5.一种权利要求1-4中任一项低硬度阻尼硅胶缓冲材料的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

(a)将权利要求1-4中任一项所述的用于制备低硬度阻尼硅胶缓冲材料的各组分混合，形成混合物；

(b)将所述混合物在真空条件下搅拌均匀，形成预涂物；

(c)将所述预涂物通过压延工艺覆合于薄膜上，形成复合膜；

(d)将所述复合膜进行烘烤处理，即成低硬度阻尼硅胶缓冲材料。

6.根据权利要求5所述的低硬度阻尼硅胶缓冲材料的制备方法，其特征在于：所述薄膜经过涂覆粘结增强剂或电晕放电处理。

7.根据权利要求5所述的低硬度阻尼硅胶缓冲材料的制备方法，其特征在于：所述薄膜为聚酯薄膜、氟素离型膜或聚酰亚胺薄膜。