[发明专利]一种应用于太阳能电池提升开压的两步通源工艺有效
| 申请号： | 201610797372.0 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106340567B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 董方;张向斌;宋飞飞 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/223 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 322118 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 太阳能电池 提升 两步通源 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种应用于太阳能电池提升开压的两步通源工艺，用于单晶电池片的扩散处理工序，其特征是包括下列步骤：
步骤一.单晶电池片低温沉积：此步骤中采用相对低的沉积步温度及相对低浓度的POCL3，POCL3流量为900-1000sccm，沉积温度748-752℃，沉积时间9min-11min；
步骤二.二步沉积：升温至800℃-810℃，进行相对高浓度的POCL3二步沉积，POCL3流量为1600-1700sccm，沉积保持3min-4min，再升温至850℃-870℃，保持10min-16min高温推进；
步骤三.三步降温吸杂出炉：按810℃→800℃→750℃三个阶段逐步降温，每个阶段分别用400s降温通氧氧化，氧气流量为4000sccm；步骤四.对扩散完成的单晶电池片进行方阻测试。
2.根据权利要求1所述的两步通源工艺，其特征是所用POCL3的纯度为99.9999％或更高。
3.根据权利要求1或2所述的两步通源工艺，其特征是所用氧气的纯度为99.5％或更高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
