[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置在审
| 申请号： | 201610802468.1 | 申请日： | 2016-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN107799410A | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，用于通过外延法形成源极和漏极，其特征在于，包括下述步骤：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上待形成源极和漏极的区域通过外延法形成第一外延层；
在所述第一外延层上通过外延法形成第二外延层，以形成源极和漏极。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，
所述第一外延层与所述半导体衬底晶格匹配，所述第二外延层具有高应力。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一外延层为SiSn外延层或SiP外延层。
4.根据权利要求1或2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第二外延层为SiGe外延层、SiGeSn外延层或SiC外延层。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，还包括下述步骤：
在所述半导体衬底上形成鳍片，在所述鳍片上形成栅极结构；
在所述栅极结构两侧形成所述源极和漏极。
6.根据权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，还包括下述步骤：
去除所述栅极结构两侧的鳍片以露出所述鳍片下方的半导体衬底；
在所述露出的半导体衬底上形成所述源极和漏极。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，还包括下述步骤：
对所述源极和漏极执行离子注入。
8.根据权利要求7所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述注入离子为C、N或F。
9.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极以及位于所述栅极两侧的源极和漏极，其中所述源极和漏极包括第一外延层和第二外延层，所述第一外延层与所述半导体衬底晶格匹配，所述第二外延层具有高应力。
10.根据权利要求9所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一外延层为SiSn外延层或SiP外延层。
11.根据权利要求9所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第二外延层为SiGe外延层、SiGeSn外延层或SiC外延层。
12.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求9-11任意一项所述的半导体器件以及与所述半导体器件相连接的电子组件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
