[发明专利]半导体器件及其制作方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有图形化的栅极叠层和位于所述栅极叠层之上的硬掩膜层，在所述栅极叠层的侧壁上形成间隙壁，在所述栅极叠层两侧的半导体衬底中形成源极和漏极；

在所述栅极叠层之间的间隙填充牺牲介电层；

在所述牺牲介电层中形成源极接触孔和漏极接触孔；

以导电材料填充所述源极接触孔和漏极接触孔，以形成源极接触和漏极接触；

其中，所述牺牲介电层相对所述间隙壁具有高选择性。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述牺牲介电层中形成源极接触孔和漏极接触孔的步骤包括：

在所述牺牲介电层上形成抗反射层和图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层具有与所述源极接触孔和漏极接触孔对应的图案；

以所述图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述抗反射层和所述牺牲介电层，以在所述牺牲介电层中形成源极接触孔和漏极接触孔；

去除所述图形化的光刻胶层和所述抗反射层。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述间隙壁为氮化物，所述牺牲介电层为旋涂碳。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，使用N2、H2、CO2或Ar等离子体刻蚀所述牺牲介电层，以形成所述源极接触孔和漏极接触孔。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述源极接触孔和漏极接触孔具有垂直侧壁轮廓。

6.根据权利要求1或2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，还包括下述步骤：

去除所述牺牲介电层；

以介电材料填充所述栅极叠层之间的间隙，以形成层间介电层。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，采用流动性化学气相沉积工艺填充所述介电材料，以形成所述层间介电层。

8.根据权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在填充所述栅极叠层之间的间隙时通过控制所述介电材料的填充能力使所形成的层间介电层中具有空气隙。

9.根据权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述层间介电层通过自对准沉积形成。

10.一种采用如权利要求1-9中任意一项所述的制作方法制作的半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，在所述半导体上形成有图形化的栅极叠层和位于所述栅极叠层之上的硬掩膜层，在所述栅极叠层的侧壁上形成有间隙壁，在所述栅极叠层两侧的半导体衬底中形成有源极和漏极，在所述栅极叠层之间的间隙形成有层间介电层，在所述层间介电层中形成有与所述源极电性连接的源极接触和与所述漏极电性连接的漏极接触。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述源极接触呈沟槽状，所述漏极接触呈通孔状。

12.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求10或11所述的半导体器件以及与所述半导体器件相连接的电子组件。