[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置在审
| 申请号： | 201610802667.2 | 申请日： | 2016-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN107799420A | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/762;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成鳍片；
在所述鳍片之间的半导体衬底中形成用于形成隔离结构的沟槽；
填充所述沟槽形成隔离结构；
在所述鳍片上形成栅极以及位于栅极两侧的源极和漏极，
其中，所述沟槽顶部延伸至所述鳍片底部，所述隔离结构包括位于所述鳍片之间的半导体衬底中的部分和位于所述鳍片下方半导体衬底中的部分。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述鳍片之间的半导体衬底中形成用于形成隔离结构的沟槽的步骤包括：
在所述鳍片之间的半导体衬底中形成凹槽，所述凹槽延伸至所述鳍片底部；
对所述凹槽进行过刻蚀以形成所述用于形成隔离结构的沟槽。
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述凹槽呈三角形或T型状。
4.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，使用氢氧化钾刻蚀所述半导体衬底以形成所述凹槽。
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，使用氢氧化钾沿<100>晶向刻蚀所述半导体衬底以形成三角形或T型状凹槽。
6.根据权利要求5所述的半导体器件的制作方法，所述过刻蚀包括湿法过刻蚀和干法过刻蚀。
7.根据权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，通过所述湿法过刻蚀对所述凹槽进行圆角化处理。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述源极和漏极通过外延工艺形成。
9.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底上的鳍片，位于所述鳍片之间的半导体衬底中的隔离结构，以及位于所述鳍片上的栅极和栅极两侧的源极和漏极，其中，所述隔离结构包括位于所述鳍片之间的半导体衬底中的部分和位于所述鳍片下方半导体衬底中的部分。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构延伸至鳍片下方的部分呈三角形。
11.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求9或10所述的半导体器件以及与所述半导体器件相连接的电子组件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
