[发明专利]保护电路和集成电路有效
| 申请号： | 201610803202.9 | 申请日： | 2016-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN107799502B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L23/62 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐嘉;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 保护 电路 集成电路 | ||
1.一种保护电路，其特征在于，包括：
释放通路，适于进行静电释放，所述释放通路包括：电熔丝；
控制单元，适于在所述释放通路完成静电释放之后熔断所述电熔丝；
所述释放通路包括：第一释放通路和第二释放通路，所述第一释放通路和第二释放通路中的至少一个释放通路包括电熔丝；
所述第一释放通路适于进行正电的静电释放；
所述第二释放通路适于进行负电的静电释放；
所述第一释放通路连接所述第二释放通路；
所述第一释放通路还包括：正电的静电释放电路；所述第二释放通路还包括：负电的静电释放电路；所述第一释放通路包括：第一电熔丝，所述第二释放通路包括：第二电熔丝；
所述第一电熔丝和正电的静电释放电路串联在所述第一释放通路的输入端和输出端之间；
所述第二电熔丝和负电的静电释放电路串联在所述第二释放通路的输入端和输出端之间；
所述第一释放通路的输入端连接所述第二释放通路的输入端；
所述控制单元包括：第二开关；
所述第二开关的第一端连接所述第一释放通路或第二释放通路，所述第二开关的第二输入端适于接收第二电压，所述第二电压与所述第一电熔丝和第二电熔丝的熔断电压相关；
所述第二开关适于在所述第一释放通路和第二释放通路均完成静电释放之后处于连通状态，在所述第一释放通路和第二释放通路均完成静电释放之前处于断开状态；
所述第一释放通路和第二释放通路中的一个释放通路还包括：第三开关，所述第二开关连接所述第三开关所在的释放通路；
所述第三开关适于在所述第二开关处于连通状态时处于断开状态，在所述第二开关处于断开状态时处于连通状态；
所述第二开关包括：第二NMOS管，所述第三开关包括：第一PMOS管；
所述第二NMOS管的漏极适于接收所述第二电压，所述第二NMOS管的源极连接所述第一PMOS管的源极；
所述第二NMOS管适于在所述第一释放通路和第二释放通路均完成静电释放之后处于导通状态，在所述第一释放通路和第二释放通路均完成静电释放之前处于截止状态；
所述第一PMOS管适于在所述第二NMOS管处于导通状态时处于截止状态，在所述第二NMOS管处于截止状态时处于导通状态。
2.如权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述释放通路还包括：静电释放电路；
所述电熔丝和静电释放电路串联在所述释放通路的输入端和输出端之间。
3.如权利要求2所述的保护电路，其特征在于，所述静电释放电路包括：二极管、双极结型晶体管、硅控整流器或栅极接地的NMOS管。
4.如权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述控制单元包括：第一开关；
所述第一开关的第一端连接所述释放通路，所述第一开关的第二端适于接收第一电压，所述第一电压与所述电熔丝的熔断电压相关；
所述第一开关适于在所述释放通路完成静电释放之后处于连通状态，在所述释放通路完成静电释放之前处于断开状态。
5.如权利要求4所述的保护电路，其特征在于，所述第一开关包括：第一NMOS管；
所述第一NMOS管的漏极适于接收所述第一电压，所述第一NMOS管的源极连接所述释放通路；
所述第一NMOS管适于在所述释放通路完成静电释放之后处于导通状态，在所述释放通路完成静电释放之前处于截止状态。
6.如权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述正电的静电释放电路包括：二极管、双极结型晶体管、硅控整流器或栅极接地的NMOS管，所述负电的静电释放电路包括：二极管、双极结型晶体管、硅控整流器或栅极接地的NMOS管。
7.如权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述第二开关包括：第二NMOS管；
所述第二NMOS管的漏极适于接收所述第二电压，所述第二NMOS管的源极连接所述第一释放通路或第二释放通路；
所述第二NMOS管适于在所述第一释放通路和第二释放通路均完成静电释放之后处于导通状态，在所述第一释放通路和第二释放通路均完成静电释放之前处于截止状态。
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