[发明专利]一种太阳光能碳纤维地暖及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳光能碳纤维地暖，其特征在于：包括太阳光能电池组和与太阳光能电池组电连接的碳纤维发热线，所述太阳光能电池组包括多个太阳光能电池，所述太阳光能电池包括P型半导体硅和分别设置在P型半导体硅两侧的第一N型半导体硅、第二N型半导体硅，所述的第一N型半导体硅上设有减反射膜和正电极，且所述的正电极穿过减反射膜与第一N型半导体硅连接，所述的第二N型半导体硅上设有铝浆层和背电极，所述的铝浆层穿透第二N型半导体硅与P型半导体硅连接，所述的背电极穿过铝浆层与P型半导体硅连接。

2.根据权利要求1所述的太阳光能碳纤维地暖，其特征在于：所述的碳纤维发热线包括碳纤维、包裹在碳纤维上的耐高温绝缘层和包裹在耐高温绝缘层上的保护层，所述保护层包括聚乙烯层和包裹在聚乙烯层上的低烟无卤材料层，所述碳纤维的两端通过导线与所述的太阳光能电池组电连接。

3.根据权利要求1所述的太阳光能碳纤维地暖，其特征在于：所述的减反射膜包括氮化硅膜。

4.根据权利要求1所述的太阳光能碳纤维地暖，其特征在于：所述太阳光能电池组还包括分别设置在太阳光能电池上下两侧的钢化玻璃板和太阳光能背板，且所述的太阳光能电池与太阳光能背板之间通过EVA材料层连接，所述的太阳光能电池与钢化玻璃板之间通过EVA材料层连接。

5.根据权利要求4所述的太阳光能碳纤维地暖，其特征在于：所述太阳光能电池组还包括用于容纳钢化玻璃板、太阳光能背板和太阳光能电池的密封框，所述密封框上设有接线盒。

6.根据权利要求1或4所述的太阳光能碳纤维地暖，其特征在于：所述太阳光能电池的正电极包括主柵线和副栅线，且相邻两个太阳光能电池的主柵线通过汇流带连接。

7.如权利要求1-6中任一项所述太阳光能碳纤维地暖的制备方法，其特征在于：包括将碳纤维发热线填充在夹层中制得产品、制备太阳光能电池组并将该太阳光能电池组安装在室外、以及将所述的产品与所述的太阳光能电池组电连接。

8.根据权利要求7所述太阳光能碳纤维地暖的制备方法，其特征在于，所述太阳光能电池组的制备方法包括以下步骤：

（1）、电池片分选，选取性能一致或相近的多个太阳光能电池，备用；

（2）、电池片焊接，将汇流带焊接到所述太阳光能电池的主栅线上；

（3）、电池串焊接，将步骤二所述的多个太阳光能电池串接在一起；

（4）、铺设，将串接后的多个太阳光能电池、玻璃、切割好的胶垫和背板按照一定的层次铺设好，将汇流带和引出电极焊好，准备进行层压；

（5）、层压封装，将铺设好的太阳光能电池放入层压机内，通过抽真空将组件内的空气抽出，然后加热使胶垫熔化将电池、玻璃和背板粘接在一起，最后冷却取出组件；

（6）、切边，层压时胶垫熔化后由于压力而向外延伸固化形成毛边，层压完毕后将其切除；

（7）、装框，将步骤六层压后的太阳光能电池组件装密封框，以增加太阳光能组件的强度；

（8）、接线盒安装、导线端子连接：在组件背面引线处粘接一个接线盒子，以利于电池与其他设备或电池间的连接；

（9）、成品测试：对电池的输出功率进行标定，测试其输出特性，确定组件的质量等级。

9.根据权利要求8所述太阳光能碳纤维地暖的制备方法，其特征在于，所述太阳光能电池的制备方法，包括以下步骤：

步骤一、制绒，分别在P型半导体硅的表面制造单晶和/或多晶；

步骤二、扩散，分别在P型半导体硅表面的上下两侧掺杂五价元素磷形成第一N型半导体硅和第二N型半导体硅，从而在P型半导体硅表面形成PN结；

步骤三、湿法腐蚀清洗，去除边缘PN结，以防止上下短路，之后用酸把湿法腐蚀中用到的磷硅玻璃去除；

步骤四、镀减反射膜，在第一N型半导体硅表面镀上减反射膜；

步骤五、背电极印刷，在第二N型半导体硅表面通过丝网印刷印上引出背电极；

步骤六、背电场印刷，在第二N型半导体硅表面丝网印刷铝浆料，通过烧结穿透背面P型半导体硅与第二N型半导体硅之间的PN结，并和P型半导体硅形成良好的接触；

步骤七、正电极印刷，在第一N型半导体硅表面印刷银浆形成正电极，所述正电极包括主栅线和副栅线；

步骤八、分类检测，对电池的各项参数进行检测。

10.根据权利要求9所述太阳光能碳纤维地暖的制备方法，其特征在于：步骤三中所述的酸包括HF酸，和/或步骤四中所述的减反射膜包括氮化硅膜，和/或步骤五中所述背电极的材料包括银浆。