[发明专利]一种太阳光能碳纤维地暖及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201610806943.2 申请日: 2016-09-07
公开(公告)号: CN107799622A 公开(公告)日: 2018-03-13
发明(设计)人: 奚纪庚 申请(专利权)人: 苏州恒乐康碳纤维科技有限公司
主分类号: H01L31/0687 分类号: H01L31/0687;H01L31/18;H05B3/56;F24D13/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳 光能 碳纤维 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于地面辐射采暖领域领域,具体涉及一种太阳光能碳纤维地暖及其制备方法。

背景技术

太阳能(solar energy),是指太阳的热辐射能,主要表现就是常说的太阳光线。在现代一般用作发电或者为热水器提供能源。自地球上生命诞生以来,就主要以太阳提供的热辐射能生存,而自古人类也懂得以阳光晒干物件,并作为制作食物的方法,如制盐和晒咸鱼等。在化石燃料日趋减少的情况下,太阳能已成为人类使用能源的重要组成部分,并不断得到发展。太阳能的利用有光热转换和光电转换两种方式,太阳能发电是一种新兴的可再生能源。

地暖是地板辐射采暖的简称,是以整个地面为散热器,通过地板辐射层中的热媒,均匀加热整个地面,利用地面自身的蓄热和热量向上辐射的规律由下至上进行传导,来达到取暖的目的。而为了取暖,人们需要消耗大量能量。因此提供一种节能、环保的地暖成为人们的研究热点。

发明内容

针对现有技术的不足,本发明的主要目的在于提供一种太阳光能碳纤维地暖及其制备方法。

为实现前述发明目的,本发明采用的技术方案包括:

一种太阳光能碳纤维地暖,其包括太阳光能电池组和与太阳光能电池组电连接的碳纤维发热线,所述太阳光能电池组包括多个太阳光能电池,所述太阳光能电池包括P型半导体硅和分别设置在P型半导体硅两侧的第一N型半导体硅、第二N型半导体硅,所述的第一N型半导体硅上设有减反射膜和正电极,且所述的正电极穿过减反射膜与第一N型半导体硅连接,所述的第二N型半导体硅上设有铝浆层和背电极,所述的铝浆层穿透第二N型半导体硅与P型半导体硅连接,所述的背电极穿过铝浆层与P型半导体硅连接。

在一些实施方案之中,所述的碳纤维发热线包括碳纤维、包裹在碳纤维上的耐高温绝缘层和包裹在耐高温绝缘层上的保护层,所述保护层包括聚乙烯层和包裹在聚乙烯层上的低烟无卤材料层,所述碳纤维的两端通过导线与所述的太阳光能电池组电连接。

在一些实施方案之中,所述的减反射膜包括氮化硅膜。

在一些实施方案之中,所述太阳光能电池组还包括分别设置在太阳光能电池上下两侧的钢化玻璃板和太阳光能背板,且所述的太阳光能电池与太阳光能背板之间通过EVA材料层连接,所述的太阳光能电池与钢化玻璃板之间通过EVA材料层连接。

所述EVA材料为乙烯-醋酸乙烯共聚物 化学品英文名称:ethylene-vinyl acetate copolymer。

在一些较为具体的实施方案之中,所述太阳光能电池组还包括用于容纳钢化玻璃板、太阳光能背板和太阳光能电池的密封框,所述密封框上设有接线盒。

在一些实施方案之中,所述太阳光能电池的正电极包括主柵线和副栅线,且相邻两个太阳光能电池的主柵线通过汇流带连接。

本发明提供了一种所述太阳光能碳纤维地暖的制备方法,其包括将碳纤维发热线填充在夹层中制得产品、制备太阳光能电池组并将该太阳光能电池组安装在室外、以及将所述的产品与所述的太阳光能电池组电连接。

在一些较为具体的实施方案之中,所述太阳光能电池组的制备方法包括以下步骤:

(1)、电池片分选,选取性能一致或相近的多个太阳光能电池,备用;

(2)、电池片焊接,将汇流带焊接到所述太阳光能电池的主栅线上;

(3)、电池串焊接,将步骤二所述的多个太阳光能电池串接在一起;

(4)、铺设,将串接后的多个太阳光能电池、玻璃、切割好的胶垫和背板按照一定的层次铺设好,将汇流带和引出电极焊好,准备进行层压,所述汇流带为镀锡的铜带;

(5)、层压封装,将铺设好的太阳光能电池放入层压机内,通过抽真空将组件内的空气抽出,然后加热使胶垫熔化将电池、玻璃和背板粘接在一起,最后冷却取出组件;

(6)、切边,层压时胶垫熔化后由于压力而向外延伸固化形成毛边,层压完毕后将其切除;

(7)、装框,将步骤六层压后的太阳光能电池组件装密封框,以增加太阳光能组件的强度;

(8)、接线盒安装、导线端子连接:在组件背面引线处粘接一个接线盒子,以利于电池与其他设备或电池间的连接;

(9)、成品测试:对电池的输出功率进行标定,测试其输出特性,确定组件的质量等级。

在一些更为具体的实施方案之中,所述太阳光能电池的制备方法,包括以下步骤:

步骤一、制绒,分别在P型半导体硅的表面制造单晶和/或多晶;

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