[发明专利]二硫化钨纳米管的制备方法

权利要求书

1.一种二硫化钨纳米管的制备方法，其特征在于包括：

提供超细W₁₈O₄₉纳米线；

以及，将所述超细W₁₈O₄₉纳米线置于生长设备内，并使呈现为气态的硫源与所述超细W₁₈O₄₉纳米线在还原性气氛中接触且于700℃～950℃反应，制得所述二硫化钨纳米管。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于包括：

将固态硫源和超细W₁₈O₄₉纳米线分别置于生长设备内的第一温区和第二温区，所述第一温区和第二温区沿载气在生长设备内的行进方向依次分布；

至少驱除所述生长设备内的氧气和水，并使第一温区和第二温区的温度分别升高至150℃～350℃及700℃～950℃，同时向所述生长设备内持续通入载气，使硫源与超细W₁₈O₄₉纳米线在还原性气氛中接触并反应，从而制得所述二硫化钨纳米管。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述固态硫源包括硫粉；和/或，所述载气的流速控制在10sccm～500sccm；和/或，所述载气包括氢气与惰性气体的混合气体；优选的，所述载气包含1v/v％～15v/v％氢气。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于包括：

将超细W₁₈O₄₉纳米线置于生长设备内；

至少驱除所述生长设备内的氧气和水，并使所述超细W₁₈O₄₉纳米线的温度升高至700～950℃，同时向所述生长设备内持续通入载气及气态硫源，使硫源与超细W₁₈O₄₉纳米线在还原性气氛中接触并反应，从而制得所述二硫化钨纳米管。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述气态硫源包括硫化氢。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的制备方法，其特征在于：所述还原性气氛包括氢气与惰性气体形成的混合气氛；优选的，所述还原性气氛包含1v/v％～15v/v％氢气；和/或，所述载气的流速控制在10sccm～500sccm；和/或，所述载气包括氢气与惰性气体的混合气体；优选的，所述载气包含1v/v％～15v/v％氢气。

7.根据权利要求1、2、4中任一项所述的制备方法，其特征在于：所述超细W₁₈O₄₉纳米线的直径为2nm～10nm。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于包括：将钨盐溶于极性有机溶剂，之后在160℃～220℃反应6h～48h，获得混合反应溶液，其后分离出所述混合反应溶液中的固形物，再经洗涤、干燥处理后，制得所述超细W₁₈O₄₉纳米线粉末；优选的，所述极性有机溶剂包括无水乙醇；优选的，所述钨盐包括WCl₆；优选的，所述干燥处理的方式为真空干燥，干燥温度为25℃～80℃。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于包括：将所述超细W₁₈O₄₉纳米线粉末均匀分散于分散介质中形成分散液，之后施加到载体上，再将所述载体置于所述生长设备内；优选的，所述分散液中W₁₈O₄₉纳米线的浓度为0.01mg/mL～10mg/mL；优选的，所述的载体包括石英管、石英舟或刚玉舟。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述二硫化钨纳米管的直径为2nm～15nm，管壁壁数为1～5层。