[发明专利]形成背接触太阳能电池发射极的方法

权利要求书

1.一种形成背接触太阳能电池发射极的方法，所述方法包括：

通过化学气相沉积在基板上方形成第一导电类型的第一固态掺杂剂源，所述第一固态掺杂剂源包括通过间隙分开的多个区域；

通过印刷而在所述基板上方在所述第一固态掺杂剂源的所述多个区域的所述间隙中形成不与所述第一固态掺杂剂源的所述多个区域接触的第二导电类型的第二固态掺杂剂源的区域，其中所述第一导电类型与所述第二导电类型相反；

在形成所述第一固态掺杂剂源之前，在所述基板上形成薄介质层；以及

在所述薄介质层上形成多晶硅层，其中所述第一固态掺杂剂源和所述第二固态掺杂剂源在所述多晶硅层上形成。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第二固态掺杂剂源的所述区域与所述第一固态掺杂剂源的所述多个区域之间形成部分地处于所述基板中的沟槽。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

加热所述基板以驱入所述第一固态掺杂剂源和所述第二固态掺杂剂源中的掺杂剂，其中所述加热使所述第二固态掺杂剂源硬化。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

在形成所述沟槽以及在所述加热之后，对所述沟槽所暴露出的所述基板部分进行纹理化，其中硬化的所述第二固态掺杂剂源在所述纹理化期间用作掩模。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

加热所述基板以将所述第一固态掺杂剂源和所述第二固态掺杂剂源中的掺杂剂驱入所述多晶硅层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述基板为块体结晶硅基板。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二固态掺杂剂源包含旋涂玻璃前体材料或纳米颗粒材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一导电类型为p型，所述第二导电类型为n型，并且所述第一固态掺杂剂源包含硼硅酸盐玻璃(BSG)。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一导电类型为n型，所述第二导电类型为p型，并且所述第一固态掺杂剂源包含磷硅酸盐玻璃(PSG)。

10.一种根据权利要求1所述的方法制造的太阳能电池。

11.一种形成太阳能电池发射极的方法，所述方法包括：

通过印刷而在形成于基板上的薄介质层上所形成的半导体层上方形成第一导电类型的第一固态掺杂剂源，所述第一固态掺杂剂源包括间隔开的多个区域；

通过化学气相沉积在所述第一固态掺杂剂源的上方以及在所述第一固态掺杂剂源的所述间隔开的多个区域之间形成第二导电类型的第二固态掺杂剂源，其中所述第一导电类型与所述第二导电类型相反；

图案化所述第二固态掺杂剂源以形成与所述第一固态掺杂剂源的所述间隔开的多个区域交替而不与所述第一固态掺杂剂源的所述间隔开的多个区域接触的所述第二固态掺杂剂源的多个第一区域，以及在所述第一固态掺杂剂源的所述间隔开的多个区域上形成所述第二固态掺杂剂源的多个第二区域；以及

将所述第二固态掺杂剂源的所述多个第一区域中的和所述第一固态掺杂剂源中的掺杂剂驱入所述半导体层，而防止所述第二固态掺杂剂源的所述多个第二区域中的掺杂剂驱入所述半导体层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一固态掺杂剂源的所述间隔开的多个区域包括所述第一固态掺杂剂源的多个不连续区域。

13.根据权利要求11所述的方法，还包括：

在所述第二固态掺杂剂源的所述多个第一区域与所述第一固态掺杂剂源的所述间隔开的多个区域之间形成处于所述半导体层中的并且部分地处于所述基板中的沟槽。

14.根据权利要求13所述的方法，其中驱入掺杂剂包括加热所述基板，其中加热使所述第一固态掺杂剂硬化。

15.根据权利要求14所述的方法，还包括：

在形成所述沟槽以及在所述加热之后，对所述沟槽所暴露出的所述基板部分进行纹理化，其中硬化的所述第一固态掺杂剂源在所述纹理化期间用作掩模。

16.根据权利要求11所述的方法，其中印刷所述第一固态掺杂剂源包括印刷旋涂玻璃前体材料或纳米颗粒材料。