[发明专利]形成背接触太阳能电池发射极的方法

说明书

本申请是基于申请日为2012年2月15日、申请号为201280020157.X(国际申请号为PCT/US2012/025264)、发明创造名称为“形成背接触太阳能电池发射极的方法”的中国专利申请的分案申请。

相关专利申请的交叉引用

本申请要求于2011年4月25日提交的美国临时申请No.61/478,804的权益，该临时申请的全部内容据此以引用方式并入本文。

政府许可权利的声明

本文所述的发明得到美国政府支持，在美国能源部授予的第DE-FC36-07GO17043号合同下完成。美国政府在本发明中可享有某些权利。

技术领域

本发明的实施例属于可再生能源领域，具体地讲是形成背接触太阳能电池发射极的方法。

背景技术

光伏电池(常被称为太阳能电池)是熟知的用于直接转化太阳辐射为电能的器件。一般来讲，使用半导体加工技术在基板的表面附近形成p-n结而将太阳能电池制造在半导体晶片或基板上。投射在基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板主体中形成电子和空穴对。电子和空穴对迁移至基板中的p掺杂区和n掺杂区，从而在掺杂区之间产生电压差。将掺杂区连接到太阳能电池上的导电区域，以将电流从电池引导至与其耦合的外部电路。

附图说明

图1示出了根据本发明实施例的形成背接触太阳能电池发射极的方法中的操作流程图。

图2A示出了根据本发明实施例的背接触太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图，该阶段与图1流程图的操作102和图3流程图的操作302相对应。

图2B示出了根据本发明实施例的背接触太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图，该阶段与图1流程图的操作104和图3流程图的操作304相对应。

图2C示出了根据本发明实施例的背接触太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图，该阶段与图1流程图的操作106相对应。

图2D示出了根据本发明实施例的背接触太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图，该阶段也与图1流程图的操作106相对应。

图2E示出了根据本发明实施例的背接触太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图，该阶段与图1流程图的操作108相对应。

图2F示出了根据本发明实施例的背接触太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图，该阶段与图1流程图的操作110相对应。

图2G示出了根据本发明实施例的背接触太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图，该阶段与图1流程图的操作112和114相对应。

图2H示出了根据本发明实施例的背接触太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图。

图2I示出了根据本发明实施例的背接触太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图。

图3示出了表示根据本发明实施例的形成背接触太阳能电池发射极的另一种方法中的操作的流程图。

图4A示出了根据本发明实施例的背接触太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图，该阶段也与图3流程图的操作306相对应。

图4B示出了根据本发明实施例的背接触太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图，该阶段也与图3流程图的操作308相对应。

图4C示出了根据本发明实施例的背接触太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图，该阶段也与图3流程图的操作310相对应。

图4D示出了根据本发明实施例的背接触太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图，该阶段与图3流程图的操作312相对应。

图4E示出了根据本发明实施例的背接触太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图，该阶段与图3流程图的操作314和316相对应。

具体实施方式

本文描述了形成背接触太阳能电池发射极的方法。在下面的描述中，给出了许多具体细节，例如具体的工艺流程操作，以形成对本发明的实施例的透彻理解。对本领域的技术人员将显而易见的是在没有这些具体细节的情况下可实施本发明的实施例。在其他情况中，没有详细地描述熟知的制造技术，如平版印刷和图案化技术，以避免不必要地使本发明的实施例难以理解。此外，应当理解在图中示出的多种实施例是示例性的实例并且未必按比例绘制。