[发明专利]抗蚀剂剥离液

说明书

本申请是申请日为2014年2月17日、申请号为201480059453X、发明名称为“抗蚀剂剥离液”的申请的分案申请。

技术领域

本发明为用于剥离在液晶、有机EL等显示装置、半导体的制造时使用的抗蚀剂的剥离液，更详细而言，涉及如下抗蚀剂剥离液，可以说其能够去除在干蚀刻中暴露于等离子体中的抗蚀剂，进而对铝膜和铜膜实质上也不腐蚀。

背景技术

在液晶、有机EL(电致发光(Electro-Luminescence))等平板显示器(FPD)的TFT(薄膜晶体管(Thin Film Transistor))制造工艺中，为了形成导电布线，使用利用光刻法的蚀刻。

该蚀刻中，例如在成膜后的金属膜上形成抗蚀膜。对于抗蚀膜，通过图案掩模而被曝光并显影，从而想要利用蚀刻而残留的图案(或其负像图案)残留在膜上。然后，通过利用了等离子体等的干蚀刻去除露出的金属膜。然后用抗蚀剂剥离液将保护了金属膜免受干蚀刻的、经图案化的抗蚀膜剥离。

以往的导电布线主要由铝形成。但是，因FPD的大型化而需要使大量电流流过，已经研究了将电阻率更小的铜作为导电布线使用。

但是，铜往往被抗蚀剂剥离液腐蚀，对于使铜膜上形成的抗蚀膜剥离的抗蚀剂剥离液，需要使抗蚀膜剥离，并且抑制铜的腐蚀。因此，提出了一种抗蚀剂剥离液，其含有苯并三唑作为铜的缓蚀剂。另外，除此之外，哌嗪的化合物作为能够剥离抗蚀剂而且对铜的腐蚀也少的物质被提出(专利文献1、专利文献2)。

另一方面，在FPD中，也有用铝进行布线的部分，剥离铝膜上的抗蚀膜和剥离铜膜上的抗蚀膜的抗蚀剂剥离液分别单独进行制备。

共有铝膜和铜膜上的抗蚀膜的剥离液这种问题的提起可以追溯到专利文献1的时代。专利文献3中公开了如下技术：对铝和铜进行选择蚀刻时，使质子给予性的有机溶剂或质子接受性的有机溶剂在室温以上与剥离对象抗蚀膜缔合，与氧化性物质在水分1000ppm以上的环境中放置。

此外，专利文献4中公开了剥离铜膜上的抗蚀膜的抗蚀剂剥离液。专利文献4中公开了含有胺、溶剂、强碱以及水的抗蚀剂剥离液。在专利文献4中，通过在氧浓度为规定值以下的环境下使用这些组成的抗蚀剂剥离液，防止了铜的腐蚀。

此外，专利文献5是为了解决经干蚀刻工艺的抗蚀膜变质而不易被显影时的溶液剥离的问题而想到的技术。其中公开了由胺、醚、糖醇、季铵以及水构成的抗蚀剂剥离液。需要说明的是，在专利文献4中，对于抗蚀膜的形成，假定在铝膜上，但没有假定在铜上。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开昭60-131535号公报

专利文献2：日本特开2006-079093号公报

专利文献3：日本特开平05-047654号公报

专利文献4：日本特开2003-140364号公报

专利文献5：日本特开平08-262746号公报

发明内容

发明要解决的问题

如专利文献5中所提及的，经干蚀刻工艺的抗蚀膜变质、不易剥离。因此，需要在伯胺或仲胺那样的强碱下使用剥离力强的抗蚀剂剥离液。

在使用这样的剥离力强的抗蚀剂剥离液的情况下，基底为铝膜时，不怎么被腐蚀。但是，基底为铜膜时，被腐蚀。需要说明的是，此处，基底包括在剥离抗蚀膜时处于直接暴露于抗蚀剂剥离液中的状态的膜。

即，伯胺或仲胺一方面能够使正型抗蚀剂中利用的酚醛清漆树脂和作为碱不溶化剂的重氮萘醌化合物溶解于极性溶剂、水中，另一方面也会使铜溶解。

因此，目前，在铜膜为基底的情况下，剥离经干蚀刻工艺的抗蚀膜时，在用灰化等技术去除规定膜厚的抗蚀膜后，使用抗蚀剂剥离液。

在FPD的制造中，混合存在有使用铜膜的产品和使用铝膜的产品。因此，只要能够用1种抗蚀剂剥离液使铝和铜上形成的抗蚀膜剥离，就可以将剥离工序生产线设为1个。此外，由于抗蚀剂剥离液的管理也能够一元化，因此不仅在制造工序上非常优选，而且还有助于减少成本。

专利文献1、2提及了提供如下的抗蚀剂剥离液，其将蚀刻工序中变质而难以剥离的抗蚀剂剥离，而且不腐蚀金属布线。然而，实际上，改变基底的金属的种类，确认不到剥离性、腐蚀性。

专利文献3为关于铝和铜同时存在的状态下的抗蚀剂剥离的发明。但是，仅仅公开了具有烷基苯磺酸作为质子给予性的有机溶剂、并且含有单乙醇胺作为质子接受性的有机溶剂的剥离液，并没有公开具体的组成。