[发明专利]III族氮化物半导体发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种III族氮化物半导体发光装置，发出白色光，该III族氮化物半导体发光装置的特征在于，具有：

基板；

上述基板上的半导体层；

上述半导体层上的透明导电氧化物；

覆盖上述半导体层和上述透明导电氧化物的至少一部分的介电膜；以及

上述介电膜上的荧光体树脂，

上述透明导电氧化物的折射率大于上述荧光体树脂的折射率，

上述荧光体树脂的折射率大于上述介电膜的折射率，

上述介电膜具有使上述透明导电氧化物的一部分露出的开口部，

上述III族氮化物半导体发光装置具有：

上述荧光体树脂在上述开口部直接接触上述透明导电氧化物上而配置的第一区域；和

上述介电膜被配置在上述透明导电氧化物上且上述荧光体树脂被配置在上述介电膜上的第二区域，

上述III族氮化物半导体发光装置还具有在上述透明导电氧化物上形成的p接触电极和p布线电极，

上述p接触电极和上述p布线电极被上述介电膜覆盖，

上述介电膜的从上述p接触电极的端部到上述开口部的距离大于从上述透明导电氧化物起的上述p布线电极的高度。

2.一种III族氮化物半导体发光装置，发出白色光，该III族氮化物半导体发光装置的特征在于，具有：

基板；

上述基板上的半导体层；

上述半导体层上的透明导电氧化物；

覆盖上述半导体层和上述透明导电氧化物的至少一部分的介电膜；以及

上述介电膜上的荧光体树脂，

上述透明导电氧化物的折射率大于上述荧光体树脂的折射率，

上述荧光体树脂的折射率大于上述介电膜的折射率，

上述介电膜具有使上述透明导电氧化物的一部分露出的开口部，

上述III族氮化物半导体发光装置具有：

上述荧光体树脂在上述开口部直接接触上述透明导电氧化物上而配置的第一区域；和

上述介电膜被配置在上述透明导电氧化物上且上述荧光体树脂被配置在上述介电膜上的第二区域，

上述III族氮化物半导体发光装置还具有在上述透明导电氧化物上形成的p布线电极，

上述p布线电极被上述介电膜覆盖，

上述介电膜的从上述p布线电极的端部到上述开口部的距离大于从上述透明导电氧化物起的上述p布线电极的高度。

3.一种III族氮化物半导体发光装置，发出白色光，该III族氮化物半导体发光装置的特征在于，具有：

基板；

上述基板上的半导体层；

上述半导体层上的透明导电氧化物；

覆盖上述半导体层和上述透明导电氧化物的至少一部分的介电膜；以及

上述介电膜上的荧光体树脂，

上述透明导电氧化物的折射率大于上述荧光体树脂的折射率，

上述荧光体树脂的折射率大于上述介电膜的折射率，

上述介电膜具有使上述透明导电氧化物的一部分露出的开口部，

上述III族氮化物半导体发光装置具有：

上述荧光体树脂在上述开口部直接接触上述透明导电氧化物上而配置的第一区域；和

上述介电膜被配置在上述透明导电氧化物上且上述荧光体树脂被配置在上述介电膜上的第二区域，

上述III族氮化物半导体发光装置还具有在上述透明导电氧化物上形成的p焊盘电极，

上述p焊盘电极的一部分被上述介电膜覆盖，

上述介电膜的从上述p焊盘电极的端部到上述开口部的距离大于从上述透明导电氧化物起的上述p焊盘电极的高度。

4.一种III族氮化物半导体发光装置的制造方法，上述III族氮化物半导体发光装置发出白色光，上述III族氮化物半导体发光装置的制造方法的特征在于，具有：

在基板上形成半导体层的半导体层形成工序；

在上述半导体层上形成透明导电氧化物的透明导电氧化物形成工序；

以介电膜覆盖上述半导体层和上述透明导电氧化物的至少一部分的介电膜形成工序；

通过湿式蚀刻除去上述介电膜的一部分并且使上述透明导电氧化物露出而形成开口部的开口部形成工序；以及

在上述介电膜上形成荧光体树脂的荧光体树脂形成工序，

在上述荧光体树脂形成工序中，

使上述荧光体树脂直接接触在上述开口部露出的上述透明导电氧化物上而形成第一区域，

使上述荧光体树脂直接接触上述介电膜上而形成第二区域，

上述III族氮化物半导体发光装置的制造方法还具有在上述透明导电氧化物上形成p接触电极和p布线电极的工序，

上述p接触电极和上述p布线电极被上述介电膜覆盖，

上述介电膜的从上述p接触电极的端部到上述开口部的距离大于从上述透明导电氧化物起的上述p布线电极的高度。