[发明专利]III族氮化物半导体发光装置及其制造方法

说明书

本发明提供用于在发出白色光的发光装置中提高光提取效率的III族氮化物半导体发光装置及其制造方法。发光装置(1)具有：基板(110)、基板上的半导体层、半导体层上的透明导电氧化物(TE1)、覆盖半导体层和透明导电氧化物的至少一部分的介电膜(F1)以及介电膜(F1)上的荧光体树脂(200)。透明导电氧化物的折射率大于荧光体树脂的折射率。荧光体树脂的折射率大于介电膜(F1)的折射率。发光装置具有：荧光体树脂在开口部(W1)直接接触透明导电氧化物上而配置的第一区域(R1)和介电膜(F1)配置在透明导电氧化物上且荧光体树脂配置在介电膜(F1)上的第二区域。

技术领域

本说明书的技术领域涉及III族氮化物半导体发光装置及其制造方法。

背景技术

III族氮化物半导体发光装置具有通过电子和空穴复合而发光的发光层、n型半导体层以及p型半导体层。如此在发光层产生光。但是，所产生的光未必会被提取到III族氮化物半导体发光装置的外部。因为其会被III族氮化物半导体发光装置的各部吸收、由III族氮化物半导体发光装置的各部反射。

因此，开发出用于从III族氮化物半导体发光装置适当地提取光的技术。例如，专利文献1公开了具有形成有光提取元件LEE的图案的透明电极层29的发光二极管(参见专利文献1的段落[0039]和图2a)。其中记载了光提取元件使光散射或者反射，由此来促进光的放射(参见专利文献1的段落[0039])。

专利文献：日本特开2013-533644号公报

如此，即使提高了半导体发光元件内部的光提取效率，也存在当光从半导体发光元件射入荧光体树脂时被荧光体树脂反射的情况。这样的发光装置相应地光提取效率低。

发明内容

本说明书的技术是为了解决上述的现有技术所具有的问题点而提出的。即其课题在于提供用于在发出白色光的发光装置中提高光提取效率的III族氮化物半导体发光装置及其制造方法。

第一方式的III族氮化物半导体发光装置是发出白色光的III族氮化物半导体发光装置。该III族氮化物半导体发光装置具有：基板；上述基板上的半导体层；上述半导体层上的透明导电氧化物；覆盖上述半导体层和上述透明导电氧化物的至少一部分的介电膜；以及上述介电膜上的荧光体树脂，上述透明导电氧化物的折射率大于上述荧光体树脂的折射率，上述荧光体树脂的折射率大于上述介电膜的折射率，上述介电膜具有使上述透明导电氧化物的一部分露出的开口部，上述III族氮化物半导体发光装置具有：上述荧光体树脂在上述开口部直接接触上述透明导电氧化物上而配置的第一区域；和上述介电膜被配置在上述透明导电氧化物上且上述荧光体树脂被配置在上述介电膜上的第二区域。

在该III族氮化物半导体发光装置中，容易将光从第一区域提取到外部。在第一区域，光绝大多数不会被反射而从透明导电氧化物透过到荧光体树脂。因此，该III族氮化物半导体发光装置具备高发光效率。

第二方式的III族氮化物半导体发光装置具有在透明导电氧化物上形成的p接触电极和p布线电极。上述p接触电极和上述p布线电极被上述介电膜覆盖，上述介电膜的从上述p接触电极的端部到上述开口部的距离大于从上述透明导电氧化物起的上述p布线电极的高度。

第三方式的III族氮化物半导体发光装置具有在上述透明导电氧化物上形成的p布线电极，上述p布线电极被上述介电膜覆盖，上述介电膜的从上述p布线电极的端部到上述开口部的距离大于从上述透明导电氧化物起的上述p布线电极的高度。

第四方式的III族氮化物半导体发光装置具有在上述透明导电氧化物上形成的p焊盘电极，上述p焊盘电极的一部分被上述介电膜覆盖，上述介电膜的从上述p焊盘电极的端部到上述开口部的距离大于从上述透明导电氧化物起的上述p焊盘电极的高度。