[发明专利]移动终端以及克服晶体老化的搜网方法

权利要求书

1.一种克服晶体老化的搜网方法，其特征在于，所述克服晶体老化的搜网方法包括：

调用存储在易失性随机访问存储器中的第一区域的参数进行搜网；

如果搜网失败，则调用存储在所述易失性随机访问存储器中的第二区域的参数进行搜网；

如果搜网失败且搜网次数大于第一预设值，则重新获取参数并进行搜网；

如果搜网成功，则将所述第一区域的参数更新为重新获取的所述参数。

2.根据权利要求1所述的克服晶体老化的搜网方法，其特征在于，存储在所述第一区域的参数的初始值与存储在所述第二区域的参数相同。

3.根据权利要求1所述的克服晶体老化的搜网方法，其特征在于，所述参数包括电容阵列的电容和变容二极管的电容，改变所述电容阵列的电容用于粗调所述参数；改变变容二极管的电容用于细调所述参数。

4.根据权利要求3所述的克服晶体老化的搜网方法，其特征在于，所述重新获取参数并进行搜网的步骤包括：

以预设的步进调整所述电容阵列的电容进行搜网使频率误差最小；

对所述变容二极管的电容进行校准并进行搜网使频率误差趋于零。

5.根据权利要求4所述的克服晶体老化的搜网方法，其特征在于，所述对所述变容二极管的电容进行校准的步骤包括：

如果所述变容二极管的电容的值与所述变容二极管的电容的变化范围中间的值之差超出预设范围，则调整所述变容二极管的电容的变化范围中间的值处于所述变容二极管的电容的变化范围的中间位置。

6.根据权利要求1所述的克服晶体老化的搜网方法，其特征在于，如果调用存储在所述第二区域的参数搜网成功，则将所述第一区域的参数更新为所述第二区域的参数。

7.一种移动终端，其特征在于，所述移动终端包括：

第一搜网模块，用于调用存储在易失性随机访问存储器中的第一区域的参数进行搜网；

第二搜网模块，与所述第一搜网模块连接，用于如果搜网失败，则调用存储在所述易失性随机访问存储器中的第二区域的参数进行搜网；

第三搜网模块，与所述第二搜网模块连接，用于如果搜网失败且搜网次数大于第一预设值，则重新获取参数并进行搜网；

参数更新模块，与所述第三搜网模块连接，用于如果搜网成功，则将所述第一区域的参数更新为重新获取的所述参数。

8.根据权利要求7所述的移动终端，其特征在于，存储在所述第一区域的参数的初始值与存储在所述第二区域的参数相同。

9.根据权利要求7所述的移动终端，其特征在于，所述参数包括电容阵列的电容和变容二极管的电容，改变所述电容阵列的电容用于粗调所述参数；改变变容二极管的电容用于细调所述参数。

10.根据权利要求9所述的移动终端，其特征在于，所述第三搜网模块用于：

以预设的步进调整所述电容阵列的电容进行搜网使频率误差最小；

对所述变容二极管的电容进行校准并进行搜网使频率误差趋于零。

11.根据权利要求10所述的移动终端，其特征在于，所述第三搜网模块还用于：

如果所述变容二极管的电容的值与所述变容二极管的电容的变化范围中间的值之差超出预设范围，则调整所述变容二极管的电容的变化范围中间的值处于所述变容二极管的电容的变化范围的中间位置。

12.根据权利要求7所述的移动终端，其特征在于，所述参数更新模块还用于：

如果所述第二搜网模块调用存储在所述第二区域的参数搜网成功，则将所述第一区域的参数更新为所述第二区域的参数。