[发明专利]移动终端以及克服晶体老化的搜网方法

说明书

技术领域

本发明涉及移动终端克服晶体老化技术领域，特别是涉及一种移动终端以及克服晶体老化的搜网方法。

背景技术

在移动终端生产，销售及用户的使用过程中，如刷机等，移动终端的各项射频指标会随着用户的使用环境及使用时间发生变化，尤其是晶体老化引起的频率精度这项指标。其他指标的变化客户端不容易感知，不影响正常的通信功能。如果频率精度出现异常，会导致移动终端失去通信功能，对用户体验，品牌影响力及售后都会带来负面的影响。

目前的移动终端在出厂时进行一次校准，后续的任何操作都不能破坏这份参数。部分厂商也会要求将移动终端的配置参数(即golden参数)写入代码。即使这份参数丢失，可以调用代码中的设定，功能也基本能够保证OK，不用返厂，例如刷机操作失误等等。

但是频率精度会随着晶体的老化发生频偏，校准与集成golden参数的方式都无法完全避免失效的概率，由于时间的增加，或者晶体本身的一致性问题，会概率性出现异常。此类问题目前的解决方法是移动终端返厂，拆机使用仪器进行校准，耗费大量的人力，物力。

发明内容

本发明实施例提供了一种移动终端以及克服晶体老化的搜网方法，能够有效解决晶体老化或晶体批次不良导致无法搜网的问题，进而扩大搜网应用场景。

本发明提供一种克服晶体老化的搜网方法，包括：调用存储在易失性随机访问存储器中的第一区域的参数进行搜网；如果搜网失败，则调用存储在易失性随机访问存储器中的第二区域的参数进行搜网；如果搜网次数大于第一预设值，则重新获取参数并进行搜网；如果搜网成功，则将第一区域的参数更新为重新获取的参数。

其中，存储在第一区域的参数的初始值与存储在第二区域的参数相同。

其中，参数包括电容阵列的电容和变容二极管的电容，改变电容阵列的电容用于粗调参数；改变变容二极管的电容用于细调参数。

其中，重新获取参数并进行搜网的步骤包括：以预设的步进调整电容阵列的电容进行搜网使频率误差最小；对变容二极管的电容进行校准并进行搜网使频率误差趋于零。

其中，对变容二极管的电容进行校准的步骤包括：如果变容二极管的电容的值与变容二极管的电容的变化范围中间的值之差超出预设范围，则调整变容二极管的电容的变化范围中间的值处于变容二极管的电容的变化范围的中间位置。

其中，如果调用存储在第二区域的参数搜网成功，则将第一区域的参数更新为第二区域的参数。

本发明还提供一种移动终端，包括：第一搜网模块，用于调用存储在易失性随机访问存储器中的第一区域的参数进行搜网；第二搜网模块，与第一搜网模块连接，用于如果搜网失败，则调用存储在易失性随机访问存储器中的第二区域的参数进行搜网；第三搜网模块，与第二搜网模块连接，用于如果搜网次数大于第一预设值，则重新获取参数并进行搜网；参数更新模块，与第三搜网模块连接，用于如果搜网成功，则将第一区域的参数更新为重新获取的参数。

其中，存储在第一区域的参数的初始值与存储在第二区域的参数相同。

其中，参数包括电容阵列的电容和变容二极管的电容，改变电容阵列的电容用于粗调参数；改变变容二极管的电容用于细调参数。

其中，第三搜网模块用于：以预设的步进调整电容阵列的电容进行搜网使频率误差最小；对变容二极管的电容进行校准并进行搜网使频率误差趋于零。

其中，第三搜网模块还用于：如果变容二极管的电容的值与变容二极管的电容的变化范围中间的值之差超出预设范围，则调整变容二极管的电容的变化范围中间的值处于变容二极管的电容的变化范围的中间位置。

其中，参数更新模块还用于：如果第二搜网模块调用存储在第二区域的参数搜网成功，则将第一区域的参数更新为第二区域的参数。

通过上述方案，本发明的有益效果是：本发明通过调用存储在易失性随机访问存储器中的第一区域的参数进行搜网；如果搜网失败，则调用存储在易失性随机访问存储器中的第二区域的参数进行搜网；如果搜网次数大于第一预设值，则重新获取参数并进行搜网；如果搜网成功，则将第一区域的参数更新为重新获取的参数，能够有效解决晶体老化或晶体批次不良导致无法搜网的问题，进而扩大搜网应用场景。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：