[发明专利]有源区域结构以及其形成方法有效
申请号: | 201610817060.1 | 申请日: | 2016-09-12 |
公开(公告)号: | CN107818980B | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 黄财煜 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有源 区域 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种有源区域结构,包含:
元件区域,定义在一基底上;
有源层,是由该基底的顶部所构成,具有多个元件单元在该元件区域内,以及边界结构围绕该元件区域,其中该边界结构具有至少一个分枝向内延伸入该元件区域,且在该多个元件单元的其中一部分之间;以及
浅沟槽绝缘层,具有第一部件形成于该边界结构内以使该多个元件单元之间绝缘,以及第二部件围绕该边界结构的外周围,
其中该浅沟槽绝缘层的该第二部件将该多个元件单元与用于形成周边电路的周边有源区域隔离。
2.如权利要求1所述的有源区域结构,其中该多个元件单元的每一个是条状件具有纵向方向,该多个元件单元在该纵向方向对准,以形成多条有源线,该多条有源线的每一条有该多个元件单元的多个。
3.如权利要求2所述的有源区域结构,其中该至少一个分枝的每一个对准于该多条有源线的对应其一,在相邻的两条该有源线之间。
4.如权利要求2所述的有源区域结构,其中属于该多条有源线的相同一条的该多个元件单元及该分枝是相同线宽。
5.如权利要求1所述的有源区域结构,其中该边界结构的该外周围有多个缺口。
6.如权利要求1所述的有源区域结构,其中该边界结构包含分离的多段边界,分置于该元件区域的多边,该多段边界也被该浅沟槽绝缘层隔离。
7.如权利要求6所述的有源区域结构,其中该多段边界的该外周围有至少一个缺口。
8.如权利要求1所述的有源区域结构,其中该边界结构是连续围绕该元件区域。
9.一种形成有源区域结构的方法,包含:
设定一元件区域在一基底上;
图案化该基底的顶部,以形成一有源层,其中该有源层具有多个元件单元在该元件区域内,以及边界结构围绕该元件区域,其中该边界结构具有至少一个分枝向内延伸入该元件区域,且在该多个元件单元的其中一部分之间;以及
形成浅沟槽绝缘层于该基底上,其中该浅沟槽绝缘层具有第一部件形成于该边界结构内以使该多个元件单元之间绝缘,以及第二部件围绕该边界结构的外周围,
其中该浅沟槽绝缘层的该第二部件将该多个元件单元与用于形成周边电路的周边有源区域隔离。
10.如权利要求9所述的形成有源区域结构的方法,其中该多个元件单元的每一个是条状件具有纵向方向,该多个元件单元在该纵向方向对准,以形成多条有源线,该多条有源线的每一条有该多个元件单元的多个。
11.如权利要求10所述的形成有源区域结构的方法,其中该至少一个分枝的每一个对准于该多条有源线的对应其一,在相邻的两条该有源线之间。
12.如权利要求10所述的形成有源区域结构的方法,其中属于该多条有源线的相同一条的该多个元件单元及该分枝是相同线宽。
13.如权利要求9所述的形成有源区域结构的方法,其中该边界结构的该外周围有多个缺口。
14.如权利要求9所述的形成有源区域结构的方法,其中该边界结构包含分离的多段边界,分置于该元件区域的多边,该多段边界也被该浅沟槽绝缘层隔离。
15.如权利要求14所述的形成有源区域结构的方法,其中该多段边界的该外周围有至少一个缺口。
16.如权利要求9所述的形成有源区域结构的方法,其中该边界结构是连续围绕该元件区域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司,未经联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610817060.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的