[发明专利]有源区域结构以及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201610817060.1 申请日: 2016-09-12
公开(公告)号: CN107818980B 公开(公告)日: 2019-07-05
发明(设计)人: 黄财煜 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L21/8242
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台湾*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 有源 区域 结构 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种有源区域结构,包含:

元件区域,定义在一基底上;

有源层,是由该基底的顶部所构成,具有多个元件单元在该元件区域内,以及边界结构围绕该元件区域,其中该边界结构具有至少一个分枝向内延伸入该元件区域,且在该多个元件单元的其中一部分之间;以及

浅沟槽绝缘层,具有第一部件形成于该边界结构内以使该多个元件单元之间绝缘,以及第二部件围绕该边界结构的外周围,

其中该浅沟槽绝缘层的该第二部件将该多个元件单元与用于形成周边电路的周边有源区域隔离。

2.如权利要求1所述的有源区域结构,其中该多个元件单元的每一个是条状件具有纵向方向,该多个元件单元在该纵向方向对准,以形成多条有源线,该多条有源线的每一条有该多个元件单元的多个。

3.如权利要求2所述的有源区域结构,其中该至少一个分枝的每一个对准于该多条有源线的对应其一,在相邻的两条该有源线之间。

4.如权利要求2所述的有源区域结构,其中属于该多条有源线的相同一条的该多个元件单元及该分枝是相同线宽。

5.如权利要求1所述的有源区域结构,其中该边界结构的该外周围有多个缺口。

6.如权利要求1所述的有源区域结构,其中该边界结构包含分离的多段边界,分置于该元件区域的多边,该多段边界也被该浅沟槽绝缘层隔离。

7.如权利要求6所述的有源区域结构,其中该多段边界的该外周围有至少一个缺口。

8.如权利要求1所述的有源区域结构,其中该边界结构是连续围绕该元件区域。

9.一种形成有源区域结构的方法,包含:

设定一元件区域在一基底上;

图案化该基底的顶部,以形成一有源层,其中该有源层具有多个元件单元在该元件区域内,以及边界结构围绕该元件区域,其中该边界结构具有至少一个分枝向内延伸入该元件区域,且在该多个元件单元的其中一部分之间;以及

形成浅沟槽绝缘层于该基底上,其中该浅沟槽绝缘层具有第一部件形成于该边界结构内以使该多个元件单元之间绝缘,以及第二部件围绕该边界结构的外周围,

其中该浅沟槽绝缘层的该第二部件将该多个元件单元与用于形成周边电路的周边有源区域隔离。

10.如权利要求9所述的形成有源区域结构的方法,其中该多个元件单元的每一个是条状件具有纵向方向,该多个元件单元在该纵向方向对准,以形成多条有源线,该多条有源线的每一条有该多个元件单元的多个。

11.如权利要求10所述的形成有源区域结构的方法,其中该至少一个分枝的每一个对准于该多条有源线的对应其一,在相邻的两条该有源线之间。

12.如权利要求10所述的形成有源区域结构的方法,其中属于该多条有源线的相同一条的该多个元件单元及该分枝是相同线宽。

13.如权利要求9所述的形成有源区域结构的方法,其中该边界结构的该外周围有多个缺口。

14.如权利要求9所述的形成有源区域结构的方法,其中该边界结构包含分离的多段边界,分置于该元件区域的多边,该多段边界也被该浅沟槽绝缘层隔离。

15.如权利要求14所述的形成有源区域结构的方法,其中该多段边界的该外周围有至少一个缺口。

16.如权利要求9所述的形成有源区域结构的方法,其中该边界结构是连续围绕该元件区域。

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