[发明专利]有源区域结构以及其形成方法

说明书

本发明公开一种有源区域结构以及其形成方法。该有源区域结构，包含元件区域、有源层以及浅沟槽绝缘层。元件区域是定义在一基底上。有源层是由该基底的顶部所构成，具有多个元件单元在该元件区域内，以及边界结构围绕该元件区域，其中该边界结构具有至少一个分枝向内延伸入该元件区域，且在该多个元件单元的其中一部分之间。浅沟槽绝缘层具有第一部件形成于该边界结构内以使该多个元件单元之间绝缘，以及第二部件围绕该边界结构的外周围。该浅沟槽绝缘层的该第二部件将该多个元件单元与周边有源区域隔离。

技术领域

本发明涉及半导体技术。更明确地说，本发明涉及半导体的有源区域构以及其形成方法。

背景技术

近年来对于电子产品的设计，一般会具有多功能且快速的处理能力。为了增加处理能力，例如是电脑系统或是多功能的电子产品，其都需要大容量的动态随机存取存储器(DRAM)。而为了能提升记忆容量，存储器的存储单元的尺寸需要缩小，但是存储单元的尺寸大量缩小后会引发其他的问题，使得存储单元的操作不稳定或是损毁。

半导体元件一般是以在基底上定义出的有源层单元为基础，往上形成所要的元件结构。因此，在基底上的有源层单元是元件的基础，会决定元件的尺寸，形状以及位置。有源层单元以下又称为元件单元。

以存储器的存储单元为例，多个元件单元会在预定的元件区域以规则排列的方式构成阵列。一个元件单元最后会形成一个存储单元。另外，为了能操作这些存储单元，在存储单元的周围还会有一些周边电路来控制这些存储单元。这些周边电路也是以周边有源区域为基础所形成。

因此，在大量缩小半导体元件尺寸的需求下，如何设计元件结构使能维持元件的正常运作也是需要考虑的课题其一。

发明内容

本发明提供一种有源区域结构以及其形成方法，至少能避免当半导体元件的尺寸缩小时，在元件周围的浅沟槽绝缘结构所产生的应力，造成半导体元件的损坏。

在一实施例中，本发明提供一种有源区域结构。有源区域结构包含元件区域、有源层以及浅沟槽绝缘层。元件区域是定义在一基底上。有源层是由该基底的顶部所构成，具有多个元件单元在该元件区域内，以及边界结构围绕该元件区域，其中该边界结构具有至少一个分枝向内延伸入该元件区域，且在该多个元件单元的其中一部分之间。浅沟槽绝缘层具有第一部件形成于该边界结构内以使该多个元件单元之间绝缘，以及第二部件围绕该边界结构的外周围。该浅沟槽绝缘层的该第二部件将该多个元件单元与周边有源区域隔离。

在一实施例中，本发明提供一种形成有源区域结构的方法。此方法包含:在一基底上设定一元件区域。对该基底的顶部图案化，以形成一有源层，其中该有源层具有多个元件单元在该元件区域内，以及边界结构围绕该元件区域，其中该边界结构具有至少一个分枝向内延伸入该元件区域，且在该多个元件单元的其中一部分之间；形成浅沟槽绝缘层于该基底上，其中该浅沟槽绝缘层具有第一部件形成于该边界结构内以使该多个元件单元之间绝缘，以及第二部件围绕该边界结构的外周围，其中该浅沟槽绝缘层的该第二部件将该多个元件单元与周边有源区域隔离。

在一实施例中，该多个元件单元的每一个是条状件具有纵向方向，该多个元件单元在该纵向方向对准，以形成多条有源线，该多条有源线的每一条有该多个元件单元的多个。

在一实施例中，该至少一个分枝的每一个对准于该多条有源线的对应其一，在相邻的两条该有源线之间。

在一实施例中，属于该多条有源线的相同一条的该多个元件单元及该分枝是相同线宽。

在一实施例中，该边界结构的该外周围有多个缺口。

在一实施例中，该边界结构包含分离的多段边界，分置于该元件区域的多边，该多段边界也被该浅沟槽绝缘层隔离。

在一实施例该多段边界的该外周围有至少一个缺口。

在一实施例中，该边界结构是连续围绕该元件区域。