[发明专利]一种WO3包覆TZO粉体的制备及其烧结方法在审
申请号: | 201610817783.1 | 申请日: | 2016-09-07 |
公开(公告)号: | CN107793146A | 公开(公告)日: | 2018-03-13 |
发明(设计)人: | 杨海涛;高玲;尚福亮;朱佐祥;彭伟 | 申请(专利权)人: | 深圳大学 |
主分类号: | C04B35/453 | 分类号: | C04B35/453;C04B35/628;C04B35/622;C23C14/34 |
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地址: | 518060 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 wo3 tzo 制备 及其 烧结 方法 | ||
1.一种新的方法制备WO3包覆TZO(氧化锌钛)粉体,其特征是用偏钨酸铵((NH4)6H2W12O40·xH2O)溶于水的特性,将TZO粉体在偏钨酸铵水溶液中湿磨,干燥后在TZO粉体表面形成分散均匀的偏钨酸铵包覆层,然后通过偏钨酸铵在400-600℃下的热解在TZO表面形成分散均匀的的WO3包覆层,从而制备出WO3包覆TZO粉体,实现WO3的均匀掺杂。
2.对权利要求1所述的WO3包覆TZO粉体,通过加成型剂-干燥-过筛-成型-烧结等工序,可制备出密度高于5.5g/cm3,抗弯强度大于120MPa,电阻率小于5×10-3Ω·cm的高性能致密WO3掺杂TZO材料。
3.对权利要求1所述的WO3包覆TZO粉体的烧结,既可采用常压烧结工艺,也适用于气压烧结工艺,另外也可将权利要求1所述的WO3包覆TZO粉体直接热压而得到致密WO3掺杂TZO材料。
4.利用权利要求1所述的WO3包覆TZO粉体制备的致密WO3掺杂TZO材料,可制成各种复杂形状的制品,主要是溅射镀膜用的靶材(包括平面靶和旋转靶),也可用于制造其它各种导电零部件。
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