[发明专利]一种WO3包覆TZO粉体的制备及其烧结方法

说明书

技术领域：

本发明属于无机非金属元素及其化合物。

背景技术：

TZO(氧化锌钛)薄膜是一种被广泛研究的功能材料。TZO透明导电膜性能稳定、制备简单、成本低廉，是新一代透明导电膜，有可能替代昂贵的ITO，在薄膜，在平板显示、太阳能电池、节能玻璃、智能玻璃等领域有广泛的应用前景。

TZO薄膜的制备方法主要有：物理气相沉积、化学气相沉积、溶胶-凝胶等各种方法。由于物理气相沉积制备的TZO薄膜与基体的结合强度高、沉积效率高、工艺成熟稳定而被广泛应用。而用物理气相沉积制备TZO薄膜需要使用高密度TZO靶材，通过能量束轰击TZO靶材将其气化，再沉积到基体表面形成透明导电膜。微量的WO3掺杂能降低TZO的烧结温度，促进其烧结的致密化，提高靶材的密度、强度及导电性，从而提高镀膜质量。

发明内容：

本发明公开了一种WO₃包覆TZO粉体的制备及其烧结方法。其特征是用偏钨酸铵溶于水的特性，将TZO粉体在偏钨酸铵水溶液中湿磨，干燥后在TZO粉体表面形成分散均匀的偏钨酸铵包覆层，然后通过偏钨酸铵在400-600℃下的热解在TZO表面形成分散均匀的的WO₃包覆层，从而制备出WO₃包覆TZO粉体，实现WO₃的均匀掺杂。通过对包覆粉体的烧结，可制备出相对密度高于99％，强度大于120MPa，电阻率小于5×10-3Ω·cm的WO₃掺杂TZO烧结材料，可作为溅射镀膜用的靶材。

本发明详细研究并掌握了掺杂比、球磨参数、热解温度等对TZO-WO₃包覆粉末制备过程的影响及其烧结致密化过程的变化规律，从而可制备出高性能的烧结WO₃掺杂TZO材料。这种材料可经济、高效的制成各种复杂形状的产品，主要是溅射镀膜用的靶材(包括平面靶和旋转靶)，也可用于制造各种导电零部件。

附图说明

下面结合附图对本发明作进一步说明；

附图1：WO₃包覆TZO粉体的制备工艺流程图。

附图2：TZO-WO₃包覆粉体的烧结工艺流程图。

下面结合附图对本发明作进一步说明：

如附图1所示，本发明的WO₃包覆TZO粉体的制备工艺流是：先将ZnO、TiO₂粉末加入到球磨机中于偏钨酸铵水溶液中湿磨混合，充分混合均匀后，经干燥过筛得到在TZO粉体表面形成分散均匀的偏钨酸铵包覆层的混合料，将混合料于400-600℃加热，通过偏钨酸铵热解在TZO粉体表面形成分散均匀的的WO₃包覆层，从而制备出WO₃包覆TZO粉体。

如附图2所示，将WO₃包覆TZO粉体，加入成形剂聚乙二醇(PEG)，然后成型(干压、冷等静压、注射成型等)，得到生坯，经脱成型剂后，即可进行常压烧结或气压烧结，得到高强度高密度的WO₃掺杂TZO烧结材料。

本发明的优点在于用一种新的方法制备WO₃包覆TZO粉体，特别适用于微量WO₃掺杂，通过对WO₃包覆TZO粉体进行烧结，可制备出高性能烧结WO₃掺杂TZO材料。

具体实施方式：

实例1：0.2wt％WO₃包覆TZO粉体的制备

将市售纯度为99.9％ZnO、TiO2粉末按质量比99∶1.0混合，在用0.23wt％偏钨酸铵配制的水溶液中置于球磨机中湿磨24-96h，干燥过筛后，将粉体置于400-600℃的炉子中，偏钨酸铵热解生成WO₃包覆住ZnO、TiO2，得到各种粉料充分混合、粒径分布均匀、成型性好、各组分质量比为ZnO∶TiO2∶WO₃＝98.8∶1.0∶0.2的WO₃包覆TZO粉体。

实例2：0.5wt％WO₃包覆TZO粉体的制备