[发明专利]半导体器件和方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

将第一半导体管芯放置为邻近于通孔；

用包封物包封所述第一半导体管芯和所述通孔；

在所述第一半导体管芯和所述通孔上方形成第一介电层；

在所述第一介电层上方形成第一再分布层；以及

在所述第一再分布层上方沉积第二介电层，其中，所述第二介电层包括第一材料，所述第一材料为在介于200℃和230℃之间的温度下固化的低温固化的聚酰亚胺，其中，所述固化包括：

升温阶段，其中，所述升温阶段以2℃/min和4.8℃/min的速率增加所述第一材料的温度；

固化阶段，其中，所述第一材料在200℃的温度下固化两小时；以及

冷却阶段，其中，所述冷却阶段以0.5℃/min和2.0℃/min的速率降低所述第一材料的所述温度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一介电层包括所述第一材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一半导体管芯包括位于半导体衬底和所述第一再分布层之间的第三介电层，所述第三介电层包括所述第一材料。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括位于所述第一半导体管芯的与所述第一介电层相对的侧上的第三介电层，所述第三介电层包括所述第一材料。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括位于所述第一半导体管芯的与所述第一介电层相对的侧上的第三介电层，所述第三介电层包括第二材料，所述第二材料为聚苯并恶唑。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括位于所述第二介电层上方的多个介电层，其中，所述多个介电层的每个均包括所述第一材料。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

多个介电层，位于所述第二介电层上方，其中，所述多个介电层的每个均包括所述第一材料；

第三介电层，位于所述第一半导体管芯的半导体衬底和所述第一再分布层之间，所述第三介电层包括所述第一材料；以及

第四介电层，位于所述第一半导体管芯的与所述第一介电层相对的侧上，所述第四介电层包括所述第一材料。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在通孔、第一半导体器件和包封物上方施加第一介电材料，其中，所述通孔通过所述包封物与所述第一半导体器件横向分隔开；以及

实施聚酰亚胺的第一施加，其中，实施所述第一施加还包括第一组步骤，所述第一组步骤包括：

在所述第一介电材料上方施加第二介电材料，其中，所述第二介电材料包括聚酰亚胺树脂、光敏化合物和溶剂；

将所述第二介电材料曝光于图案化的光源；

在曝光所述第二介电材料之后，显影所述第二介电材料；和

在显影所述第二介电材料之后，固化所述第二介电材料，其中在介于200℃和230℃之间的温度下实施固化所述第二介电材料，其中，固化所述第二介电材料包括：

升温阶段，其中，所述升温阶段以2℃/min和4.8℃/min的速率增加所述第二介电材料的温度；

固化阶段，其中，所述第二介电材料在200℃的温度下固化两小时；以及

冷却阶段，其中，所述冷却阶段以0.5℃/min和2.0℃/min的速率降低所述第二介电材料的所述温度。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括在所述第一施加之后，实施聚酰亚胺的第二施加，其中，所述第二施加包括所述第一组步骤。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括在所述第二施加之后，实施聚酰亚胺的第三施加，其中，所述第三施加包括所述第一组步骤。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第二施加的显影步骤形成了外部侧壁，所述外部侧壁具有从在所述第一施加期间施加的所述第二介电材料的外部侧壁的横向偏移。