[发明专利]具有宽的工作范围的非易失性存储器件

说明书

一种非易失性存储器件包括非易失性存储单元和可变电阻式负载部分。可变电阻式负载部分耦接在非易失性存储单元的位线与电源电压线之间。可变电阻式负载部分适用于根据施加给电源电压线的电源电压的水平来改变位线与电源电压线之间的电阻值。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年2月19日提交的申请号为10-2016-0019826的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体合并于此。

技术领域

本公开的各种实施例涉及一种非易失性存储器件，更具体地，涉及一种具有宽的工作范围的非易失性存储器件。

背景技术

半导体存储器件根据其数据易失性而通常分为随机存取存储(RAM)器件或只读存储(ROM)器件。RAM器件在其电源被中断时丢失其储存的数据。与此相反的是，ROM器件在其电源被中断时保持其储存的数据。ROM器件也可以根据数据输入方法(即，数据编程方法)而分为可编程ROM(PROM)器件或掩模ROM器件。PROM器件可以在不编程的情况下制造和售出，且可以在其制造之后由消费者(即，用户)来直接编程。掩模ROM器件可以在其制造期间使用基于由用户请求的数据而制造的注入掩模来编程。PROM器件可以包括一次性PROM(OTPROM)器件、可擦除PROM(EPROM)器件和电可擦除PROM(EEPROM)器件。一旦OTPROM器件被编程，就不能改变OTPROM器件的编程数据。

N沟道晶体管或P沟道晶体管可以用作非易失性存储器件(例如，OTPROM器件)的单元晶体管。如果使用P沟道晶体管作为非易失性存储器件的单元晶体管，则P沟道单元晶体管可以具有关断态作为其初始态，以及可以具有导通态作为其编程态。P沟道单元晶体管的读取操作可以通过感测连接到从P沟道单元晶体管选择的P沟道单元晶体管的位线的电压水平来执行。在这种情况下，该位线的电压水平可以通过耦接在电源电压线与位线之间的负载电阻器的电阻与选中P沟道单元晶体管的等效电阻的电阻比来确定。当电子系统尺寸缩减时，需要各种电源电压水平以操作电子系统中所采用的非易失性存储器件。在这种情况下，采用P沟道晶体管作为单元晶体管的非易失性存储器件的读取操作可能变得不稳定，从而限制了非易失性存储器件的工作范围。

发明内容

各种实施例针对一种具有宽工作范围的非易失性存储器件。

根据一个实施例，一种非易失性存储器件包括非易失性存储单元和可变电阻式负载部分。可变电阻式负载部分耦接在非易失性存储单元的位线与电源电压线之间。可变电阻式负载部分适用于根据施加给电源电压线的电源电压的水平来改变位线与电源电压线之间的电阻值。

附图说明

基于附图和所附详细描述，本发明的各种实施例将变得更加明显，其中：

图1是图示传统非易失性存储器件的电路图；

图2是图示在单元晶体管的初始状态中在读取操作期间，图1中所示的非易失性存储器件的单元晶体管和电阻式部分的等效电阻值作为电源电压的函数的图；

图3是图示在单元晶体管的编程态中在读取操作期间，图1中所示的非易失性存储器件的单元晶体管和电阻式部分的等效电阻值作为电源电压的函数的图；

图4是图示图1中所示的非易失性存储器件的读取操作裕度作为电源电压的函数的图；

图5是图示根据本公开的一个实施例的非易失性存储器件的电路图；

图6是图示当施加给非易失性存储器件的电源电压具有高电平时，在具有初始状态的非易失性存储单元的读取操作期间，构成图5的非易失性存储器件中所包括的偏压发生器的电阻器和第一N沟道晶体管的等效电阻的电路图；