[发明专利]像素补偿电路以及显示装置有效

专利信息
申请号: 201610832039.9 申请日: 2016-09-19
公开(公告)号: CN107845364B 公开(公告)日: 2019-10-18
发明(设计)人: 周兴雨 申请(专利权)人: 上海和辉光电有限公司
主分类号: G09G3/3225 分类号: G09G3/3225
代理公司: 上海隆天律师事务所 31282 代理人: 钟宗;夏彬
地址: 201506 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 晶体管 像素补偿 驱动电流 显示面板 电路 显示装置 电压源 压降 电容器 发光二极管 亮度均匀性 位置处 减小 走线 观看
【权利要求书】:

1.一种像素补偿电路,其特征在于,包括:

一第一晶体管(M1),所述第一晶体管(M1)的第一极耦接一数据信号(dI5),第二极耦接一第一节点(N1),栅极耦接一第二扫描信号(Sn);

一第二晶体管(M2),所述第二晶体管(M2)的第一极耦接所述第一节点(N1),第二极耦接一第二节点(N2),栅极耦接一第四节点(N4);

一第一开关组件,所述第一开关组件的第一端耦接所述第二节点(N2),第二端耦接所述第四节点(N4),控制端耦接所述第二扫描信号(Sn);所述第一开关组件包括一第三晶体管(M3)和一第四晶体管(M4),其中:所述第三晶体管(M3)的第一极耦接所述第二节点(N2),所述第三晶体管(M3)的第二极耦接所述第四晶体管(M4)的第一极,所述第四晶体管(M4)的第二极耦接所述第四节点,所述第三晶体管(M3)和第四晶体管(M4)的栅极均耦接所述第二扫描信号(Sn);

一第五晶体管(M5),所述第五晶体管(M5)的第一极耦接所述第二节点(N2),第二极耦接一第三节点(N3),栅极耦接一使能信号(En);

一第六晶体管(M6),所述第六晶体管(M6)的第一极耦接所述第一节点(N1),第二极耦接一电压源正极(ELVDD),栅极耦接所述使能信号(En);

一第十晶体管(M10),所述第十晶体管(M10)的第一极耦接所述电压源正极(ELVDD),第二极耦接一第五节点(N5),栅极耦接所述使能信号(En);

一第十一晶体管(M11),所述第十一晶体管(M11)的第一极耦接所述第五节点(N5),第二极耦接一参考电压(ref),栅极耦接一第一扫描信号(Sn-1);

一电容器(C),所述电容器(C)的第一端耦接所述第五节点(N5),第二端耦接所述第四节点(N4);

一发光二极管(XD),所述发光二极管(XD)的正极耦接所述第三节点(N3),负极耦接一电压源负极(ELVSS);

一第二开关组件,所述第二开关组件的第一端耦接一初始化信号(Vin),第二端耦接所述第四节点(N4),控制端耦接所述第一扫描信号(Sn-1);所述第二开关组件包括一第七晶体管(M7)和一第八晶体管(M8),其中:所述第七晶体管(M7)的第一极耦接所述初始化信号(Vin),所述第七晶体管(M7)的第二极耦接所述第八晶体管(M8)的第一极,所述第八晶体管(M8)的第二极耦接所述第四节点,所述第七晶体管(M7)和第八晶体管(M8)的栅极均耦接所述第一扫描信号(Sn-1);

一第九晶体管(M9),所述第九晶体管(M9)的第一极耦接所述第三节点(N3),第二极耦接所述初始化信号(Vin),栅极耦接所述第一扫描信号(Sn-1);

一第十二晶体管(M12),所述第十二晶体管(M12)的第一极耦接所述第五节点,第二极耦接所述参考电压(ref),栅极耦接所述第二扫描信号(Sn)。

2.根据权利要求1所述的像素补偿电路,其特征在于,所述第一晶体管(M1)、第二晶体管(M2)、第五晶体管(M5)、第六晶体管(M6)、第十晶体管(M10)和第十一晶体管(M11)均为PMOS晶体管。

3.根据权利要求1所述的像素补偿电路,其特征在于,所述第三晶体管(M3)和第四晶体管(M4)均为PMOS管。

4.根据权利要求1所述的像素补偿电路,其特征在于,所述第七晶体管(M7)、第八晶体管(M8)和第九晶体管(M9)均为PMOS管。

5.根据权利要求1所述的像素补偿电路,其特征在于,所述第十二晶体管(M12)为PMOS管。

6.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至5中任一项所述的像素补偿电路。

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