[发明专利]光学电子设备及其制造方法

权利要求书

1.一种用于由主晶圆和副晶圆聚合制造电子器件的方法，所述主晶圆包括多个第一位置并且具有正面，并且其包含具有位于顶部表面上并且分别位于所述第一位置内的多个光学元件的基底晶圆，所述副晶圆包括多个第二位置并且在安装表面具有分别形成在所述第二位置内的凹部，其中所述第一位置与所述第二位置相对应，该方法包含：

将所述主晶圆和所述副晶圆中的一个安装在另一个顶部，以所述凹部位于所述光学元件之上的方式，所述副晶圆的安装表面匹配至所述主晶圆的正面；

从与所述安装表面相对的面开始，减小所述副晶圆的厚度，至少直到展现出所述凹部，使得所述副晶圆的剩余部分呈网格的形式并且限定出在光学元件之上延伸的多个贯穿通道；以及

沿所述第一位置和所述第二位置的边缘，贯穿所述主晶圆和所述副晶圆的剩余部分进行切割。

2.根据权利要求1的方法，其中减小所述副晶圆的厚度包含通过磨蚀、抛光和化学腐蚀中的一种或多种进行移除的机械操作。

3.根据权利要求1的方法，其中减小所述副晶圆的厚度包含：

执行不接触所述凹部的机械移除操作；和

此后执行化学腐蚀操作，用于展现出所述凹部。

4.根据权利要求1的方法，在安装步骤之后以及在减小所述副晶圆的厚度之前，包含：

从与所述正面相对的面开始，减小所述基底晶圆的厚度；和

在减小了厚度的基底晶圆的剩余部分的背面上安装电连接元件。

5.根据权利要求4的方法，进一步包含，从减小了厚度的基底晶圆的剩余部分的背面形成延伸贯穿所述基底晶圆的电连接通孔。

6.根据权利要求1的方法，其中所述主晶圆包含，位于每个所述第一位置内的包含在正面层中的电连接网络。

7.根据权利要求1的方法，其中所述基底晶圆和所述副晶圆由相同的材料组成。

8.根据权利要求7的方法，其中所述相同的材料是半导体材料。

9.根据权利要求8的方法，其中所述半导体材料是硅。

10.一种电子器件，包含：

光学集成电路芯片，其具有正面并且其包含顶面包括光学元件的基底晶圆，和

副晶圆，其安装在所述光学集成电路芯片的正面上，该副晶圆包含环，该环包围在所述光学元件之上延伸的贯穿通道，

其中所述基底晶圆和所述副晶圆由相同材料组成。

11.根据权利要求10的器件，其中所述相同的材料是半导体材料。

12.根据权利要求11的器件，其中所述半导体材料是硅。

13.根据权利要求10的器件，进一步包含包括在所述基底晶圆顶面上的层中的电连接的网络。

14.根据权利要求10的器件，进一步包含：

延伸贯穿所述基底晶圆的电连接通孔；和

位于与所述正面相对的所述光学集成电路的背面的电连接元件。

15.一种组合晶圆，包含：

主晶圆，其包括多个第一位置并且具有正面，并且其包含具有位于顶部表面上并且分别位于所述第一位置内的光学元件的基底晶圆；

副晶圆，其包括多个第二位置并且在安装表面中具有分别形成在所述第二位置内的凹部，其中所述第一位置与所述第二位置相对应；

所述主晶圆安装至所述副晶圆，其中以所述凹部位于所述光学元件之上的方式，所述副晶圆的安装表面匹配至所述主晶圆的正面，以用来限定以矩阵布置的多个未切割光学电子器件。

16.根据权利要求15的组合晶圆，其中所述未切割的光学电子器件由所述第一位置和所述第二位置的边缘分隔。

17.根据权利要求15的组合晶圆，其中与所述主晶圆的正面相对的所述基底晶圆的背面是去薄的表面。

18.根据权利要求17的组合晶圆，进一步包含：

从所述基底晶圆的所述背面穿过所述基底晶圆的贯通孔；和

安装至所述基底晶圆的所述背面并且电连接至所述贯通孔的电连接装置。

19.根据权利要求15的组合晶圆，其中与所述安装表面相对的所述副晶圆的背面是去薄的表面，其限定了具有对应于所述凹部的贯通开口的环形结构的网格。

20.根据权利要求15的组合晶圆，其中所述基底晶圆和所述副晶圆由相同的半导体材料组成。