[发明专利]光学电子设备及其制造方法

说明书

优先权主张

本申请要求于2016年3月2日提交的法国专利申请1651766的优先权，其公开内容以引用的方式引入本申请。

技术领域

本发明涉及电子设备领域。

背景技术

众所周知，电子设备包含集成电路芯片，该集成电路芯片包括位于正面的光学传感器、安装在该正面上的玻璃板、位于集成电路芯片背面的背部电连接元件和穿过通孔连接背部电连接元件与光学传感器的电连接。

这些电子设备以聚合的方式制造并且是切割包含主晶圆的最终晶圆的结果，该主晶圆包括原位(on site)的集成电路芯片和安装在主晶圆上的玻璃晶圆。

发明内容

根据一个实施例，提供了用于制造电子设备的方法。

该方法采用：主晶圆，其具有正面并且其包含具有位于该上正面上并分别位于位置中的光学元件的基底晶圆；和副晶圆，其具有，位于安装表面的，分别形成在该副晶圆位置处的凹部，与主晶圆上的位置相对应。

该方法包含：将主晶圆和副晶圆中的一个安装在另一个顶部，以凹部位于主晶圆的侧面并且位于光学元件的上方的方式将副晶圆的安装表面匹配至主晶圆的正面，以副晶圆的剩余部分呈网格的形式并且在光学元件的上方限定出多个贯穿通道的方式，减小副晶圆的厚度，从与其安装表面相对的面开始，至少直到展现出凹部，并且沿位置的边缘，贯穿主晶圆和呈网格形式的副晶圆剩余部分进行切割。

减小副晶圆的厚度的步骤可以包含通过磨蚀、抛光进行移除的机械操作和/或通过化学腐蚀进行移除的操作。

减小副晶圆的厚度的步骤可以包含执行机械移除操作，其不接触凹部，此后执行化学腐蚀操作，用于展现出凹部。

该方法包含，在安装步骤之后以及减小副晶圆的厚度之前，处理主晶圆包括，在其背面的一侧上，减小基底晶圆的厚度的操作和安装电连接元件的操作。

处理主晶圆的步骤可以包括贯穿基底晶圆形成电连接通孔。

主晶圆可以包含，位于位置上的，包括在正面层中的电连接网络。

基底晶圆和副晶圆由相同的材料组成。

基底晶圆和副晶圆可以由硅制成。

同时还提供了一种电子设备，其包含具有正面的光学集成电路芯片并且其包含基底晶圆，其具有位于该正面的一侧上的光学元件，和安装至芯片正面的副晶圆，该副晶圆呈在光学元件上方限定贯穿通道的环的形式，基底晶圆和副晶圆由相同材料组成。

基底晶圆和副晶圆可以由硅制成。

该电子设备可以包含电连接网络，其包含在基底晶圆之上的层中。

该电子设备可以包含贯穿基底晶圆的电连接通孔，并且背面顶部上的电连接元件，其连接至该通孔。

附图说明

借助非限制的典型实施例，对电子设备和聚合制造模式进行描述，并且在附图中示出了该电子设备和聚合制造模式，其中：

-图1示出了电子设备的俯视图；

-图2沿图1中的II-II示出了电子设备的横截面；

-图3示出了最初分离的晶圆的横截面；以及

-图4至图7示出了从图3中的最初的晶圆开始的电子设备聚合制造步骤的横截面。

具体实施方式

在图1和图2中，示出了电子设备1，其包含具有正面3的光学集成电路芯片2，并且其包含支撑该正面3的侧面的基底晶圆4，光学元件5和包括在覆盖基底晶圆4的正面层7中的电连接网络6，其中该网络6包含若干金属层。

光学元件5配置在芯片2的中心区域，并且电连接网络6，一般而言，位于光学元件5的外边缘与芯片2的外边缘之间的区域中。

光学元件5可以是光学传感器。

电子设备1进一步包含安装在芯片2的正面3上的副正面晶圆8。该副晶圆8采用(例如，方形或矩形的)正面环9的形状，在其内部限定了在光学元件5上方延伸的贯穿通道10。更确切地说，环9固定在芯片2的正面3的外围部上并且以一定距离环绕光学元件5的外围。

芯片2和正面环9具有对应的轮廓，使得电子设备2采用平行六面体的形式，例如，具有方形外围轮廓，并且环9的分支(或侧部)具有相等的宽度。

正面环9通过粘结的方式，例如，借助聚合物粘合剂，或通过分子附着力固定在芯片2上。

芯片2包含从基底晶圆4的背面12贯穿基底晶圆4形成的多个电连接通孔11(TVS)，这些通孔11朝向正面延伸并且选择性地连接至电连接网络6。

基底晶圆4和正面环9由相同的材料制成，更具体地，由半导体材料制成，诸如硅。