[发明专利]一种MPCVD金刚石薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201610845673.6 | 申请日： | 2016-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN106637143A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 孔德军;张棱;王文昌;刘伟;朱首宇 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | C23C16/511 | 分类号： | C23C16/511;C23C16/27 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mpcvd 金刚石 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种MPCVD金刚石薄膜的制备方法，在微波等离子体沉积装置中进行，其特征在于：采用惰性气体Ar作为沉积过程中的催化气体，以起到细化金刚石薄膜的晶粒，提高金刚石薄膜的硬度，改善金刚石薄膜质量的作用。
2.如权利要求1所述的一种MPCVD金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：
(1)通入惰性气体Ar
将预处理后的基体放入抽真空后的沉积室中，向沉积室内通入惰性气体Ar，调节压强为4.3×10-2Pa；
(2)通入先驱气体H2
向沉积室内通入H2，流量为250～300cm3/min，调节压强为4.5kPa；
(3)激发微波
调节微波发射器功率为1kW，将H2激发成等离子体；
(4)通入反应气体CH4，O2，开始沉积
通入CH4、O2，控制反应沉积室内甲烷体积百分浓度处于1％～5％，O2体积百分浓度0.5％，调节压强为5.0Pa，沉积90min。
3.如权利要求2所述的一种MPCVD金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，所述基体预处理的步骤如下：基体经80～1200号砂纸和金相砂纸打磨，再抛光至镜面，分别置于酒精溶液与去离子水中超声清洗15分钟，除去基体表面的油污与杂质，在烘干机上烘干后放入沉积室中。
4.如权利要求2所述的一种MPCVD金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，所述沉积室抽真空后的步骤如下：使用机械泵和分子泵对沉积室进行空气和杂质双真空，使沉积室内真空度不高于10-3Pa。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州大学，未经常州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610845673.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：使用硅原料的成膜装置
- 下一篇：一种航空钛合金的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
