[发明专利]形成栅极的方法和FINFET在审
| 申请号： | 201610845869.5 | 申请日： | 2016-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN107039258A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 萧宇廷;吴政达;谭伦光;严亮宇;王廷君;吴宗翰;游伟明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 栅极 方法 finfet | ||
1.一种形成栅极的方法，包括：
形成伪栅极；
横向邻近所述伪栅极形成层间电介质(ILD)；
将掺杂剂掺杂到所述伪栅极和所述层间电介质中，其中，所述伪栅极的表面掺杂剂浓度低于所述层间电介质的表面掺杂剂浓度；
在将所述掺杂剂掺杂到所述伪栅极和所述层间电介质中之后，去除所述伪栅极以形成腔体；以及
在所述腔体中形成所述栅极。
2.根据权利要求1所述的形成栅极的方法，其中，层间电介质的邻近所述伪栅极的表面掺杂剂浓度低于层间电介质的远离所述伪栅极的表面掺杂剂浓度。
3.根据权利要求1所述的形成栅极的方法，还包括：在横向邻近所述伪栅极形成所述层间电介质之后并且在将所述掺杂剂掺杂到所述伪栅极和所述层间电介质中之前，执行第一退火工艺。
4.根据权利要求3所述的形成栅极的方法，其中，执行所述第一退火工艺包括：对所述层间电介质执行所述第一退火工艺以加宽所述伪栅极的上部宽度。
5.根据权利要求3所述的形成栅极的方法，还包括：在将所述掺杂剂掺杂到所述伪栅极和所述层间电介质中之后并且在去除所述伪栅极之前，执行第二退火工艺。
6.根据权利要求1所述的形成栅极的方法，还包括：在横向邻近所述伪栅极形成所述层间电介质之前，横向邻近所述伪栅极形成接触蚀刻停止层(CESL)。
7.根据权利要求6所述的形成栅极的方法，还包括：在横向邻近所述伪栅极形成所述接触蚀刻停止层之前，横向邻近所述伪栅极形成间隔件。
8.根据权利要求1所述的形成栅极的方法，其中，所述腔体的上部宽度不小于所述腔体的下部宽度。
9.一种鳍式场效应晶体管，包括：
鳍结构；
栅极，横跨在所述鳍结构上方；
源极-漏极区域，位于所述鳍结构中；以及
层间电介质，横向邻近所述栅极并且包括掺杂剂，其中，所述层间电介质的邻近所述栅极的掺杂剂浓度低于所述层间电介质的远离所述栅极的掺杂剂浓度。
10.一种鳍式场效应晶体管，包括：
鳍结构；
栅极，横跨在所述鳍结构上方；
源极-漏极区域，位于所述鳍结构中；
层间电介质，横向邻近所述栅极并且包括掺杂剂；以及
间隔件，横向介于所述栅极与所述层间电介质之间，其中，由所述间隔件限定的间隔不具有颈部。
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