[发明专利]直接的选择性增粘剂镀覆

权利要求书

1.一种形成封装的半导体器件的方法，包括：

提供具有多个单元引线框架的引线框架条，每个单元引线框架均包括芯片焊盘、远离所述芯片焊盘延伸的多个引线以及分界出所述引线的外部部分和所述引线的内部部分的外围环；

将增粘剂镀覆材料选择性地镀覆在第一单元引线框架的封装体轮廓区域内，所述芯片焊盘和所述引线的所述内部部分设置在所述封装体轮廓区域内，所述引线的所述外部部分设置在所述封装体轮廓区域之外；以及

处理所述第一单元引线框架中的线结合部位，使得在选择性地镀覆所述增粘剂镀覆材料之后，所述线结合部位没有所述增粘剂镀覆材料，

其中，所述线结合部位设置在所述封装体轮廓区域内并且与所述外围环间隔开，

其中，将所述增粘剂镀覆材料选择性地镀覆至所述第一单元引线框架包括：

在所述第一单元引线框架之上提供掩蔽物，所述掩蔽物覆盖所述引线的所述外部部分并且包括暴露所述封装体轮廓区域的开口；以及

在所述开口中形成所述增粘剂镀覆材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述线结合部位被掩蔽物覆盖，以防止在形成所述增粘剂镀覆材料期间在所述线结合部位上形成所述增粘剂镀覆材料。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在选择性地镀覆所述增粘剂镀覆材料之前或之后，对所述线结合部位进行处理。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，处理所述线结合部位包括：

在选择性地镀覆所述增粘剂镀覆材料之前，对所述线结合部位进行化学处理，以防止在选择性施加所述增粘剂镀覆材料期间在所述线结合部位上形成所述增粘剂镀覆材料。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，化学处理所述线结合部位包括将所述线结合部位暴露于抗浸渍或抗锈蚀的化学抑制剂。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，处理所述线结合部位包括：

在选择性地镀覆所述增粘剂镀覆材料之后，去除在形成所述增粘剂镀覆材料期间所述增粘剂镀覆在所述线结合部位上形成的部分。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，去除所述增粘剂镀覆在所述线结合部位上形成的部分包括将化学清洁溶液施加至所述线结合部位，所述化学清洁溶液包括以下中的至少一种：氢氧化钾、乙酸铵、乳酸钾和丙酮。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，施加所述化学清洁溶液包括将所述线结合部位暴露于所述化学清洁溶液并且保护相邻区域免受所述化学清洁溶液的选择性清洁过程。

9.根据权利要求3所述的方法，其中，处理所述线结合部位包括：

在选择性地镀覆所述增粘剂镀覆材料之后，使所述线结合部位镀有线可结合层，以覆盖所述增粘剂镀覆材料的形成在所述线结合部位上的部分。

10.根据权利要求3所述的方法，其中，处理所述线结合部位包括：

在选择性地镀覆所述增粘剂镀覆材料之后，施加激光清洁工艺至所述线结合部位，以去除任何漏至所述线结合部位上的增粘剂镀覆材料。

11.根据权利要求3所述的方法，其中，处理所述线结合部位包括：

在选择性地镀覆所述增粘剂镀覆材料之前，施加抗腐蚀涂层至所述第一单元引线框架，其中，所述抗腐蚀涂层防止所述增粘剂镀覆材料形成在所述线结合部位上。

12.根据权利要求3所述的方法，其中，处理所述线结合部位包括：

在所述第一单元引线框架之上提供所述掩蔽物之前，在所述线结合部位之上施加胶带。

13.根据权利要求3所述的方法，其中，所述增粘剂镀覆材料包括锌基金属。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述增粘剂镀覆材料包括ZnMo和ZnV中的至少一种。