[发明专利]直接的选择性增粘剂镀覆

说明书

提供了一种具有多个单元引线框架的引线框架条。每个单元引线框架均包括芯片焊盘、远离所述芯片焊盘延伸的多个引线以及分界出所述引线的外部部分和所述引线的内部部分的外围环。将增粘剂镀覆材料选择性地镀覆在第一单元引线框架的封装体轮廓区域内。所述芯片焊盘和所述引线的所述内部部分设置在所述封装体轮廓区域内，所述引线的所述外部部分设置在所述封装体轮廓区域之外。处理线结合部位，使得在选择性地镀覆所述增粘剂镀覆材料之后，所述线结合部位基本上没有所述增粘剂镀覆材料。所述线结合部位设置在所述封装体轮廓区域内并且与所述外围环间隔开。

技术领域

本申请涉及半导体封装，尤其是涉及用于增强引线框架的导电表面与电绝缘封装材料之间的粘附的方法。

背景技术

通常使用引线框架和诸如模塑化合物的密封材料封装诸如半导体芯片的集成电路器件。例如，可将一个或一个以上半导体芯片物理附接至并且电连接至引线框架。密封材料在半导体芯片和电连接周围形成。密封剂保护半导体芯片和电连接免受诸如湿气、温度、杂质颗粒等等的有害的环境条件。可从密封剂的外侧外部接触引线框架的引线，并且在某些情况下引线框架的引线远离密封剂伸出。引线的这些外侧部分提供了外部电端子，其使得封装的器件能够电连接至例如印刷电路板。

许多半导体处理技术使用引线框架条来同时封装大量半导体器件。引线框架条包括在片状导体上连续重复的大量单元引线框架，片状导体中的开口限定单元引线框架的特征。每个单元引线框架为单个封装的器件提供引线结构。一个或一个以上的半导体芯片可被固定至每个单元引线框架并与每个单元引线框架电连接。最终，单元引线框架彼此之间被单个化以形成单独的封装的器件。可在单个化单元引线框架之前或之后在引线框架上模制密封剂。

在半导体封装中，层离是一个普遍的问题，即由于两者之间粘附不良，封装材料从引线框架分离开。这可能会带来不可接受的风险，即湿气和异物会穿透封装体，可导致在检验之后丢弃大量的部件。

一种用于解决粘附问题的技术涉及在密封剂在引线框架上形成之前将增粘剂施加至引线框架。然而，有效的增粘剂通常不导电或至少干扰导电连接。因此，如果在线结合之前不从引线框架的特定区域去除增粘剂，那么就会有潜在的线结合失败的可能性。公知的用于从引线框架的特定区域去除增粘剂的技术需要昂贵的并且难以校准的多个处理步骤。

发明内容

公开了一种形成封装的半导体器件的方法。根据一个实施例，所述方法包括提供具有多个单元引线框架的引线框架条。每个单元引线框架均具有芯片焊盘、远离芯片焊盘延伸的多个引线和分界出引线的外部部分和引线的内部部分的外围环。所述方法还包括将增粘剂镀覆材料选择性地镀覆在第一单元引线框架的封装体轮廓区域内。芯片焊盘和引线的内部部分设置在封装体轮廓区域内，引线的外部部分设置在封装体轮廓区域之外。所述方法还包括处理第一单元引线框架中的线结合部位，使得在选择性地镀覆增粘剂镀覆材料之后，线结合部位基本上没有增粘剂镀覆材料。线结合部位设置在封装体轮廓区域内并且与外围环间隔开。

根据另一个实施例，所述方法包括提供具有多个单元引线框架的引线框架条。每个单元引线框架具有中央开口以及远离中央开口延伸的多个引线。所述方法还包括将增粘剂镀覆材料选择性地在第一单元引线框架上镀覆在引线的第一部分上的封装体轮廓区域内。所述方法还包括将电绝缘密封材料模制在引线的第一部分上，使得中央开口被由密封材料的外侧壁形成的腔体封住。

公开了一种封装的半导体器件。根据一个实施例，封装的半导体器件包括引线框架，所述引线框架具有中央开口和远离中央开口延伸的多个引线。引线中的至少一个具有升高部分，与引线的外部部分相比，所述升高部分距离中央开口更近。封装的半导体器件还包括形成在引线框架的封装体轮廓区域上的电绝缘密封材料，使得中央开口被由密封材料的外侧壁形成的腔体封住。封装的半导体器件还包括在引线框架与电绝缘密封材料之间的交界处形成在引线框架上的增粘剂镀覆材料。

在阅读下文详细说明并查看附图时，本领域的技术人员将认识到附加的特征和优点。

附图说明