[发明专利]电导体、一维-二维混杂结构体、和包括其的电子器件

权利要求书

1.电导体，其包括：

包括多个金属纳米线的第一导电层；和

设置在所述第一导电层的表面上的第二导电层，其中所述第二导电层包括多个金属氧化物纳米片，

其中在所述第一导电层中的所述多个金属纳米线的金属纳米线接触所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片，和

其中所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片彼此接触以提供电连接，

所述电导体进一步包括设置在所述第二导电层的与所述第一导电层相反的表面上的基底。

2.如权利要求1所述的电导体，其中所述金属纳米线包括银、铜、金、铝、钴、钯、或其组合。

3.如权利要求1所述的电导体，其中所述电导体为透明导电膜。

4.如权利要求1所述的电导体，其中所述金属纳米线具有小于或等于50纳米的直径和大于或等于1微米的长度。

5.如权利要求1所述的电导体，其中所述金属氧化物纳米片具有大于或等于0.1微米且小于或等于100微米的平均横向尺寸，并且具有小于或等于3纳米的平均厚度。

6.如权利要求1所述的电导体，其中所述第二导电层为包括在所述金属氧化物纳米片之间的开放空间的不连续层，并且所述开放空间的面积相对于所述第二导电层的总面积之比小于或等于50％。

7.如权利要求1所述的电导体，其中所述第一导电层的所述多个金属纳米线的金属纳米线延伸跨越所述第二导电层的开放空间。

8.如权利要求1所述的电导体，其中所述电导体具有小于或等于100欧姆/平方的薄层电阻和在其具有100纳米或更小的厚度时对于550纳米波长的光大于或等于85％的透射率。

9.如权利要求1所述的电导体，其中所述金属氧化物纳米片在其表面上包括至少两种类型的C1-C16烷基铵离子。

10.如权利要求9所述的电导体，其中所述金属氧化物纳米片在其表面上包括四甲基铵离子和四丁基铵离子。