[发明专利]电导体、一维-二维混杂结构体、和包括其的电子器件

说明书

公开电导体、一维‑二维混杂结构体、和包括其的电子器件。所述电导体包括：包括多个金属纳米线的第一导电层；和设置在第一导电层的表面上的第二导电层，其中第二导电层包括多个金属氧化物纳米片；其中在第一导电层中的所述多个金属纳米线的金属纳米线接触所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片；和其中所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片彼此接触以提供电连接。

对相关申请的交叉引用

本申请要求2015年9月25日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0136922的优先权和权益、以及由其产生的所有权益，将其全部内容引入本文作为参考。

技术领域

公开了电导体、一维-二维混杂结构体、和包括其的电子器件。

背景技术

电子器件例如平板显示器如LCD或LED显示器、触摸屏面板、太阳能电池、透明晶体管等可包括导电薄膜或者透明导电薄膜。导电膜的材料具有高的光透射率(例如，在可见光区域中大于或等于约80％)和低的比电阻(例如，小于或等于约1×10^-4Ω·cm)是合乎需要的。目前可用的在透明导电薄膜中使用的材料包括氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)等。ITO是透明的电极材料并且是具有3.75eV的宽的带隙的透明半导体，且可使用溅射工艺以大的面积制造。然而，就应用于柔性触摸面板或UD级别高分辨率显示器而言，ITO具有差的柔性并且由于铟的有限储量而将不可避免地成本较高。因此，期望替代材料的开发。

近来，柔性电子器件例如可折叠或可弯曲的电子器件作为下一代电子器件已经在引起关注。因此，对于具有改善的透明性、相对高的导电性和合适的柔性的材料、以及透明电极材料存在需要。

发明内容

一种实施方式提供具有改善的导电性和改善的光透射率的柔性电导体。

另一实施方式提供具有改善的导电性和改善的光透射率的柔性且导电的混杂结构体。

又一实施方式提供包括所述电导体或所述导电的混杂结构体的电子器件。

在一种实施方式中，电导体包括：

包括多个(根)金属纳米线的第一导电层；设置在第一导电层的表面上的第二导电层，其中第二导电层包括多个金属氧化物纳米片，其中在第一导电层中的所述多个金属纳米线的金属纳米线接触所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片，和其中所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片彼此接触以提供电连接。

所述金属可包括银(Ag)、铜(Cu)、金(Au)、铝(Al)、钴(Co)、钯(Pd)、或其组合。

所述电导体可为透明导电膜。

所述导电金属纳米线可具有小于或等于约50纳米(nm)的直径和大于或等于约1微米(μm)的长度。

所述金属氧化物纳米片可具有大于或等于约0.1μm且小于或等于约100μm的平均横向尺寸，并且可具有小于或等于约3nm的平均厚度。

所述金属氧化物纳米片在横向尺寸方面可具有小于或等于约2μm的标准偏差。所述金属氧化物纳米片在横向尺寸方面可具有小于或等于约0.5μm的标准偏差。

所述导电金属纳米线可具有比所述多个金属氧化物纳米片的平均横向尺寸大的平均长度。

第二导电层可为包括在所述金属氧化物纳米片之间的开放空间的不连续层，并且所述开放空间的面积相对于第二导电层的总面积之比可小于或等于约50％。

第一导电层的所述多个金属纳米线的金属纳米线可延伸越过第二导电层的所述开放空间。

第二导电层的厚度可小于或等于约20nm和例如小于或等于约5nm。