[发明专利]与工作范围相关的非易失性存储器件

说明书

一种非易失性存储器件可以包括非易失性存储单元和感测电路。该感测电路耦接到该非易失性存储单元的位线。该感测电路可以使用反相器来实施，所述反相器包括耦接到电源电压线的P沟道晶体管和耦接到地电压的N沟道晶体管。所述P沟道晶体管的栅极耦接到地电压。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年4月11日提交的申请号为10-2016-0044099的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体合并于此。

技术领域

本公开的各种实施例总体而言可以涉及非易失性存储器件，更具体地，涉及与工作范围相关的非易失性存储器(NVM)器件。

背景技术

半导体存储器件根据其数据易失性而通常分为随机存取存储(RAM)器件或只读存储(ROM)器件。RAM器件在电源被中断时丢失所储存的数据。与此相反的是，ROM器件在电源被中断时仍保持所储存的数据。ROM器件也可以根据数据输入方法(即，数据编程方法)而分为可编程ROM(PROM)器件或掩模ROM器件。PROM器件可以以不编程的状态制造和售出，从而在其制造之后由消费者(即，用户)来直接编程。掩模ROM器件可以在其制造期间使用基于由用户请求的数据而制造的注入掩模来编程。PROM器件可以包括一次性PROM(OTPROM)器件、可擦除PROM(EPROM)器件和电可擦除PROM(EEPROM)器件。一旦OTPROM器件被编程，就不能改变OTPROM器件的编程数据。

N沟道晶体管或P沟道晶体管可以用作非易失性存储器件(例如，OTPROM器件)的单元晶体管。如果使用P沟道晶体管作为非易失性存储器件的单元晶体管，则P沟道单元晶体管可以具有关断态作为其初始状态，以及可以具有导通态作为其编程态。P沟道单元晶体管的读取操作可以通过感测连接到从多个P沟道单元晶体管选择的任意P沟道单元晶体管的位线的电压电平来执行。在这种情况下，该位线的电压电平可以通过耦接在电源电压线与位线之间的负载电阻器的电阻值与被选中的P沟道单元晶体管的等效电阻的电阻比例来确定。当电子系统尺寸缩减且被分成更多个系统时，需要更多的电源电压电平来操作电子系统中所采用的非易失性存储器件。在这种情况下，采用P沟道晶体管作为单元晶体管的非易失性存储器件的读取操作可能不稳定地执行。结果，可能因为电源电压的强度而限制了非易失性存储器件的工作范围。

发明内容

根据一个实施例，可以提供一种非易失性存储器件。该非易失性存储器件可以包括非易失性存储单元和感测电路。该感测电路耦接到该非易失性存储单元的位线。该感测电路可以使用反相器来实施，所述反相器包括耦接到电源电压线的P沟道晶体管和耦接到地电压的N沟道晶体管。所述P沟道晶体管的栅极耦接到地电压。

附图说明

图1是图示常规非易失性存储器件的电路图。

图2是图示当单元晶体管具有初始状态时图1中所示的非易失性存储器件的单元晶体管和电阻式负载部分的电阻值随电源电压变化的图。

图3是图示当单元晶体管具有编程态时图1中所示的非易失性存储器件的单元晶体管和电阻式负载部分的电阻值随电源电压变化的图。

图4是图示根据一个实施例的非易失性存储器件的示例代表的电路图。

图5是图4中图示的非易失性存储器件的等效电路图以用于图示当高电源电压被施加给非易失性存储器件时非易失性存储器件中所包括的编程了的单元晶体管的读取操作。

图6是图4中图示的非易失性存储器件的等效电路图以用于图示当高电源电压被施加给非易失性存储器件时非易失性存储器件中所包括的初始单元晶体管的读取操作。

图7是图4中图示的非易失性存储器件的等效电路图以用于图示当低电源电压被施加给非易失性存储器件时非易失性存储器件中所包括的编程了的单元晶体管的读取操作。