[发明专利]抗反射涂料组成物及抗反射膜在审
申请号: | 201610852598.6 | 申请日: | 2016-09-27 |
公开(公告)号: | CN106928755A | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 高怡惠;黄昱豪 | 申请(专利权)人: | 奇美实业股份有限公司 |
主分类号: | C09D1/00 | 分类号: | C09D1/00;C09D7/12;G02B1/113 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 彭雪瑞,臧建明 |
地址: | 中国台湾台南*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反射 涂料 组成 | ||
技术领域
本发明是涉及一种涂料组成物,尤其涉及一种抗反射涂料组成物及抗反射膜。
背景技术
现今普遍使用的望远镜、照相机及摄影机等的镜头皆属于光学组件。一般而言,光线入射于不同介质上会发生穿透、吸收、反射等现象,而过多的光线发生反射后会互相干扰。举例而言,照相机镜头会因为反射光过多导致颜色黯淡,因而导致无法经由镜头撷取正确影像的颜色光泽。
为解决前述问题,在目前现有工艺中,通过在载板(例如:玻璃、塑料等材质)上形成折射率较载板的折射率低的薄膜来形成抗反射膜以降低反射率。所述具有较低折射率的薄膜可包括由具较低折射率的氟化镁(MgF2)经真空蒸镀法而形成的单层膜结构,或是藉由压合各种不同折射率薄膜所产生的多层膜结构,其中若藉由属于真空技术的真空蒸镀法来形成多层膜结构,将需要较高的制造成本。
另外,在日本早期公开专利号H5-105424中揭示一种形成低折射率薄膜的方法,此方法是使用如旋转涂布法(spin coating)或含浸法(dipping)的湿涂法(wet coating),在载板上涂覆含有氟化镁粒子的涂覆液来在载板上形成薄膜。然而,以此方法得到的薄膜却具有非常低的机械强度且与载板间的附着力很差的缺点。
因此,开发具有良好折射率、良好机械强度、与载板间良好的附着力且制造成本低的抗反射膜是目前此领域极欲发展的目标。
发明内容
本发明提供一种抗反射涂料组成物,其可制造出具有良好折射率、良好机械强度、与载板间良好的附着力且制造成本低的抗反射膜。
本发明提出一种抗反射涂料组成物,其包括0.7重量份至2重量份的二氧化硅微粒子、0.1重量份至1.1重量份的硅酸盐化合物、0.05重量份至20重量份的水、79重量份至99重量份的有机溶剂以及阴离子,其中在所述抗反射涂料组成物中,所述阴离子的浓度范围为大于85.1ppm至小于132.4ppm。
在本发明的一实施方式中,上述的二氧化硅微粒子至少包括由式(I)所示的烷氧基硅烷于碱性催化剂存在下经水解缩合反应而得的化合物:
Rn-Si(OR1)4-n 式(I),
其中在式(I)中,R为C1~C10的经取代或非经取代的烷基、C2~C10的经取代或非经取代的烯基或C6~C10的经取代或非经取代的芳基,R1为C1~C10的经取代或非经取代的烷基,n为0~2的整数。
在本发明的一实施方式中,上述的碱性催化剂为选自由金属氢氧化物、氨水、烷胺类、醇胺类、氯化苄基三乙基铵及氢氧化四甲基铵所组成的族群中的至少一种。
在本发明的一实施方式中,上述的硅酸盐化合物至少包括由式(I)所示的烷氧基硅烷于酸性催化剂存在下经水解缩合反应而得的化合物:
Rn-Si(OR1)4-n 式(I),
其中在式(I)中,R为C1~C10的经取代或非经取代的烷基、C2~C10的经取代或非经取代的烯基或C6~C10的经取代或非经取代的芳基,R1为C1~C10的经取代或非经取代的烷基,n为0~2的整数。
在本发明的一实施方式中,上述的酸性催化剂为选自由盐酸、硝酸、氢氟酸、乙酸、三氟醋酸、硫酸、磷酸、硼酸、甲酸、草酸、对甲苯磺酸及烷基磺酸所组成的族群中的至少一种。
在本发明的一实施方式中,当n为0时,上述的式(I)所示的烷氧基硅烷包括四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷或四丁氧基硅烷;当n为1时,上述的式(I)所示的烷氧基硅烷包括甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基三苯氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、丙基三乙氧基硅烷、丁基三甲氧基硅烷、丁基三乙氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、辛基三甲氧基硅烷、癸基三甲氧基硅烷、γ-(2-胺基乙基)胺基丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、γ-氯丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷或苯基三甲氧基硅烷;当n为2时,上述的式(I)所示的烷氧基硅烷包括二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二异丙基二甲氧基硅烷、二异丁基二甲氧基硅烷、环己基甲基二甲氧基硅烷、γ-氯丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷或γ-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷。
在本发明的一实施方式中,在上述的式(I)中,n为0或1。
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