[发明专利]一种去气腔室和半导体处理装置

说明书

本发明提供一种去气腔室和半导体处理装置。该去气腔室包括腔体和片盒，腔体的侧壁上开设有传片口；片盒在腔体内可沿竖直方向移动，还包括设置在腔体内的加热组件，加热组件包括第一光源件和第二光源件，腔体以传片口为界分为第一腔体和第二腔体；第一光源件位于第一腔体内，第二光源件位于第二腔体内；第一光源件和第二光源件用于对片盒内的待去气基片进行均衡加热。该去气腔室通过设置加热组件，能使放置于片盒中的待去气基片都能受到均衡加热，从而确保了待去气基片在去气工艺和取放片过程中的工艺温度均衡，进而不仅提高了待去气基片的去气工艺质量，而且为后续工艺过程提供了更加洁净的基片。

技术领域

本发明涉及半导体器件制备技术领域，具体地，涉及一种去气腔室和半导体处理装置。

背景技术

在半导体制造技术领域，物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)是指采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。

在PVD设备中，通常需要Degas(去气)工艺步骤，例如在如图1所示的铜互连PVD工艺流程中，该工艺步骤的作用是在真空系统中，去除掉基片在大气中吸附的水蒸气等杂质，清洁基片表面，为后续工序提供尽可能干净的基片。

如图2所示，传统的去气加热系统主要由真空腔室4、片盒2、升降系统5和光源6组成。真空腔室4提供了工艺环境，片盒2用于承载多个基片，升降系统5通过驱动片盒2升降将片盒2中放置于不同高度位置的基片传输到取放片的高度位置上(即传片口11的高度位置)，光源6提供了热量。

上述去气加热系统的工作流程如下：1)通过升降系统5将第一批多个基片从传片口11传输到片盒2上的不同高度位置；2)通过升降系统5将片盒2顶起到光源6处的工艺位置上；3)点亮光源6，加热基片；4)关闭光源6，降低片盒2至传片口11的高度，并取走完成工艺的一些基片，同时补充一些基片；5)遵循先进先出的原则，循环工作。

在实际进行加热去气工艺时，由于传片口11位于光源6的下方位置，因此存在着一种现象，即每次取放片都会将片盒2降下来，这样就远离了光源6的辐射区域，导致片盒2连同基片温度下降，且这种温度下降不可控，每个基片随着工艺流程的设定其下降次数也不相同，对基片的最终工艺结果例如工艺温度、均匀性等影响较大。

发明内容

本发明针对现有技术中存在的上述技术问题，提供一种去气腔室和半导体处理装置。该去气腔室通过设置多个加热组件，能使放置于片盒中的待去气基片都能受到均衡加热，从而确保了待去气基片在去气工艺和取放片过程中的工艺温度均衡，进而不仅提高了待去气基片的去气工艺质量，而且为后续工艺过程提供了更加洁净的基片。

本发明提供一种去气腔室，包括腔体和片盒，所述腔体的侧壁上开设有传片口，所述传片口用于使所述待去气基片传入或传出所述腔体；所述片盒在所述腔体内可沿竖直方向移动，还包括设置在所述腔体内的加热组件，所述加热组件包括第一光源件和第二光源件，所述腔体以所述传片口为界分为第一腔体和第二腔体；所述第一光源件位于所述第一腔体内，所述第二光源件位于所述第二腔体内；所述第一光源件和所述第二光源件用于对所述片盒内的所述待去气基片进行均衡加热。

优选地，所述加热组件还包括第一反光筒和第二反光筒，所述第一反光筒位于所述第一腔体和所述第一光源件之间；所述第二反光筒位于所述第二腔体和所述第二光源件之间；

所述第一反光筒和所述第二反光筒用于将照射到其上的光线向所述片盒内的所述待去气基片反射。

优选地，所述第一反光筒和所述第二反光筒对接形成一体，且在对应所述传片口的位置设有第一开口，所述第一开口能使所述待去气基片通过。

优选地，所述加热组件还包括第一反光板和第二反光板，所述第一反光板盖合在所述第一反光筒的远离所述传片口的一端，所述第二反光板盖合在所述第二反光筒的远离所述传片口的一端；