[发明专利]束电流密度分布调整装置和离子注入机有效
申请号: | 201610860614.6 | 申请日: | 2016-09-28 |
公开(公告)号: | CN107424892B | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
发明(设计)人: | 山元徹朗;萨米·K·哈托 | 申请(专利权)人: | 日新离子机器株式会社 |
主分类号: | H01J37/147 | 分类号: | H01J37/147;H01J37/317 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 鲁山;孙志湧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电流密度 分布 调整 装置 离子 注入 | ||
1.一种束电流密度分布调整装置,包括:
在带状束的长侧方向上的多个构件对,所述构件对通过使用电场或磁场来调整在所述带状束的长侧方向上的束电流密度分布,所述构件对中的每一对被布置成使得所述带状束在所述构件对中间,
其中在所述带状束的长侧方向上彼此相邻的所述构件对的相对表面至少部分地不平行于所述带状束的行进方向。
2.根据权利要求1所述的束电流密度分布调整装置,其中,在所述带状束的长侧方向上彼此相邻的所述构件对的相对表面平行于彼此。
3.根据权利要求1所述的束电流密度分布调整装置,其中,在所述带状束的长侧方向上彼此相邻的所述构件对的相对表面不平行于彼此。
4.根据权利要求1所述的束电流密度分布调整装置,其中,在所述带状束的长侧方向上彼此相邻的所述构件对的整个相对表面不平行于所述带状束的行进方向。
5.根据权利要求2所述的束电流密度分布调整装置,其中,在所述带状束的长侧方向上彼此相邻的所述构件对的整个相对表面不平行于所述带状束的行进方向。
6.根据权利要求4所述的束电流密度分布调整装置,其中,在所述带状束的长侧方向上彼此相邻的所述构件对的相对表面相对于所述带状束的行进方向沿一个方向倾斜,并且在所述带状束的行进方向上相对于所述相对表面中的每一个表面的中心是对称的。
7.根据权利要求4所述的束电流密度分布调整装置,其中,在所述带状束的长侧方向上彼此相邻的所述构件对的相对表面相对于所述带状束的行进方向沿一个方向倾斜,并且与所述带状束的行进方向相交偶数次。
8.根据权利要求4所述的束电流密度分布调整装置,其中,在所述带状束的长侧方向上彼此相邻的所述构件对的相对表面相对于所述带状束的行进方向以相同的角度倾斜。
9.根据权利要求8所述的束电流密度分布调整装置,其中,根据在所述带状束的长侧方向上所述构件对被布置的位置来确定倾斜角。
10.根据权利要求1所述的束电流密度分布调整装置,其中,在所述带状束的长侧方向上彼此相邻的所述构件对的相对表面相对于所述带状束的行进方向沿一个方向倾斜,并且在所述带状束的长侧方向上相对于所述束电流密度分布调整装置的中心是对称的。
11.一种离子注入机,包括:
离子源,所述离子源被构造成产生带状束;
束电流密度分布调整装置,所述束电流密度分布调整装置包括在所述带状束的长侧方向上的多个构件对,所述构件对通过使用电场或磁场来调整在所述带状束的长侧方向上的束电流密度分布,所述构件对中的每一对被布置成使得所述带状束在所述构件对中间;以及
处理室,在所述处理室中布置有晶圆,
其中在所述带状束的长侧方向上彼此相邻的所述构件对的相对表面至少部分地不平行于所述带状束的行进方向。
12.一种束调整装置,包括:
第一构件和第二构件,所述第一构件和所述第二构件布置在带状束的短侧方向的相对侧;以及
第三构件和第四构件,所述第三构件和第四构件布置在所述带状束的所述短侧方向的相对侧,所述第三构件在所述带状束的长侧方向上与所述第一构件相邻,并且所述第四构件在所述长侧方向上与所述第二构件相邻,
其中所述第一构件至所述第四构件中的每一个构件具有在所述带状束的行进方向上延伸的表面,所述行进方向与所述长侧方向正交,并且
所述第一构件的所述表面的至少一部分不平行于所述行进方向。
13.根据权利要求12所述的装置,其中,所述第一构件至所述第四构件是电极、磁极或线圈。
14.根据权利要求12所述的装置,其中,所述第一构件的整个所述表面不平行于所述行进方向。
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