[发明专利]基板对准装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种基板对准装置，尤其涉及一种在基板处理装置中，将基板及被对象物(对象)对准的基板对准装置。

背景技术

一般来说，等离子化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition；PECVD)设备，在显示屏制造工艺或半导体制造工艺中，在真空状态中利用气体的化学反应，使绝缘膜、保护膜、氧化膜、金属膜等沉积到基板上从而使用。

图1是图示现有基板处理装置的示意图。

参照图1，现有基板处理装置包括：真空腔室10；基座20，设置在所述真空腔室10内部，可以升降，并且安装有基板2，在基座20的上部具备电极及喷出工序气体的花洒30。

通过所述花洒30向真空腔室10的内部供给工序气体及同时根据向电极施加RF电源，向真空腔室10的内部供给的工序气体形成等离子化，从而可以沉积在安装在基座20上面的基板2上。

另外，将各种膜(例如，绝缘膜、保护膜、氧化膜、金属膜)以特定图案形态沉积到基板2上时，将掩膜4配置在基板2的上面，由于在配置掩膜4的状态中执行沉积工序，所以在基板2上可以形成特定沉积图案。

并且，为了在基板2上准确地形成特定沉积图案，基板2的掩膜4位置需要准确地对准。为此，在将掩膜4安装在基板2上面之前，可以执行用于将关于基板2的掩膜4位置排列的对准工序。

作为对准方法中的一个，目前是将形成在基板上的目标标记(target mark)及形成在掩膜4上的对象标记(object mark)用对准摄像机40拍摄从而比较之后，相对于基板2将掩膜4移动相当于目标标记的对象标记距离及方向误差的大小，从而执行对准工序。。

但是，目前，用于拍摄形成在基板2上目标标记及形成在掩膜4上对象标记的对准摄像机40配置在外部，由此便产生对准摄像机运转距离(working distance)增加的问题，作为对准摄像机，由于不可避免地需要使用具备长运转距离的高性能摄像机，不仅具有原价上升的问题，还具有对准控制存在复杂的问题。

并且，目前对象标记的一部分配置在对准摄像机聚焦区域(Field Of View；FOV)的外侧时，很难准确识别对象标记，存在频繁发生错误对准判断情况的问题。

于是，最近进行用于提高对准准确度及效率性的多样性检测，至今还很薄弱所以需要开发。

发明内容

(要解决的问题)

本发明的目的在于，提供一种可以提高对准准确度及效率性的基板对准装置。

特别是，本发明的目的在于，提供一种可以缩短对准摄像机的运转距离，并且可以节减原价及可以提供便利的基板对准装置。

并且，本发明的目的在于，提供一种使关于记号的摄像机位置(聚焦区域)可变，防止根据识别率低下导致错误对准的基板对准装置。

并且，本发明的目的在于，提供一种可以将结构简化，并且可以提高设计者诱导的基板对准装置。

(解决问题的手段)

为了达到上述本发明的目的如果根据本发明的优选实施例，利用在基板上形成的目标标记及在对象上形成的对象标记从而执行基板目标对准的基板对准装置，包括：摄像机腔室，在真空腔室内部中提供独立密封的大气压收容空间；及对准摄像机，设置于摄像机腔室内部，并且拍摄目标标记及对象标记；及腔室移动单元，使摄像机腔室在真空腔室内部移动。依靠这样的结构，可以缩短对准摄像机的运转距离，并且可以调整关于记号的对准摄像机聚焦区域。

作为参考，本发明中称其为对象可理解为显示器制造工序或半导体制造工序中，对于基板需要排列的被对象物，借助于对象的种类及特性本发明不受限定。例如，对象可以包括为了在基板上形成特定沉积图案从而在基板上叠层的掩膜。

摄像机腔室可以根据需求的条件及设计规格安装在真空腔室中的多个位置上。例如，为了使摄像机腔室配置在基板的下部而将其安装在真空腔室的下部。举另一个例子，为了使摄像机腔室配置在基板的上部而将其安装在真空腔室的上部或者安装在真空腔室的侧壁上。

摄像机腔室，可以构成为向内部提供大气压收容空间的多样结构。例如，摄像机腔室可以包括形成大气压收容空间的腔室主体及使收容到腔室主体内部的对准摄像机能观察目标标记及对象标记而形成在腔室主体的观察窗。