[发明专利]用于制造半导体器件的方法和系统有效
| 申请号： | 201610864030.6 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107039247B | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 余俊益;庄明轩;罗益全;林长发;郑景弘 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 系统 | ||
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：
在具有第一化学品的显影液中形成多个气泡，在所述显影液中形成所述多个气泡包括：
将所述第一化学品引入混合器；
将第二化学品引入所述混合器；
将第三化学品引入所述混合器；
将所述第一化学品、所述第二化学品和所述第三化学品混合以形成第一混合物，所述第一混合物包括所述多个气泡和第一溶液，所述第一混合物具有所述第一化学品的第一浓度；
将额外量的所述第二化学品或所述第三化学品引入所述混合器中以形成第二混合物，所述第二混合物包括所述多个气泡和第二溶液；
将所述第二混合物引入缓冲罐；
在将所述第二混合物引入所述缓冲罐后，检测所述缓冲罐中的所述第一化学品的第二浓度；
基于所述第二浓度，从供应器向所述缓冲罐引入额外量的所述第一化学品以形成所述显影液，所述显影液包括所述第一化学品和所述多个气泡；
将所述显影液施加至设置在衬底上的光刻胶层上，其中，所述光刻胶层具有曝光区域，并且所述第一化学品配置为通过化学反应来溶解所述光刻胶层的曝光区域。
2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，形成所述多个气泡包括：
混合所述显影液与所述第二化学品，所述第二化学品配置为在所述显影液中形成所述多个气泡。
3.根据权利要求2所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述混合包括：
通过使用螺旋桨混合所述显影液与所述第二化学品。
4.根据权利要求2所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述第二化学品配置为产生含有二氧化碳的气泡。
5.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述曝光区域的去除在所述光刻胶层中形成图案化结构，并且所述气泡配置为防止在所述图案化结构的底部处形成基脚部分。
6.根据权利要求5所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述形成所述多个气泡包括：
混合所述显影液与第三化学品，所述第三化学品配置为避免在所述图案化结构的顶部处形成圆形部分。
7.根据权利要求6所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述第三化学品包括水。
8.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，还包括：
将所述缓冲罐中的所述第一化学品的第三浓度控制在从0.5wt％至2.38wt％的范围内。
9.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，还包括：
通过使用电阻计检测所述显影液中的所述第一化学品的浓度。
10.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述第一化学品包括四甲基氢氧化铵(TMAH)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610864030.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
