[发明专利]用于制造半导体器件的方法和系统

说明书

一种用于制造半导体器件的系统包括：第一供应器、第二供应器、混合器和施加器。第一供应器配置为供应具有第一化学品的显影液。第二供应器配置为将第二化学品供应到混合器。混合器配置为混合显影液与第二化学品，其中，第二化学品配置为在显影液中形成多个气泡。施加器配置为将混合有气泡的显影液施加至形成在衬底上的光刻胶层，其中，光刻胶层具有曝光区域，并且第一化学品配置为通过化学反应来溶解光刻胶层的曝光区域。本发明的实施例还涉及用于制造半导体器件的方法。

技术领域

本发明的实施例涉及用于制造半导体器件的方法和系统。

背景技术

半导体集成电路(IC)产业经历了指数级增长。在IC材料和设计中的技术进步已经产生了多代集成电路，其中每一代比上一代具有更小和更复杂的电路。在IC演化的过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)已普遍增加，而几何尺寸(即，可使用制造工艺创建的最小组件(或线))减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种按比例减小也已经增加了处理和制造IC的复杂度，并且为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展，例如，光刻工艺通常实施曝光和显影工艺以在IC晶圆制造和掩模制造期间图案化小部件。

发明内容

本发明的实施例提供了一种用于制造半导体器件的方法，包括：在具有第一化学品的显影液中形成多个气泡；将所述显影液施加至设置在衬底上的光刻胶层上，其中，所述光刻胶层具有曝光区域，并且所述第一化学品配置为通过化学反应来溶解所述光刻胶层的曝光区域。

本发明的另一实施例提供了一种用于制造半导体器件的方法，包括：将气体引入显影液；和通过使用部分溶解所述气体的所述显影液显影设置在衬底上的光刻胶层的曝光区域，其中，所述显影液配置为通过化学反应来溶解所述光刻胶层的所述曝光区域。

本发明的又一实施例提供了一种用于制造半导体器件的系统，包括：第一供应器，配置为供应具有第一化学品的显影液；第二供应器，配置为供应第二化学品；混合器，配置为混合所述显影液与第二化学品，其中，所述第二化学品配置为在所述显影液中形成多个气泡；施加器，配置为将混合有所述气泡的所述显影液施加至形成在衬底上的光刻胶层上，其中，所述光刻胶层具有曝光区域，并且所述第一化学品配置为通过化学反应溶解所述光刻胶层的所述曝光区域。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1A至图1C是根据本发明的一些实施例的按顺序示出半导体器件的制造步骤的截面图；

图2是根据本发明的一些实施例的示出半导体器件的截面图；

图3是根据本发明的一些实施例的用于制造半导体器件的方法的流程图；

图4是根据本发明的一些其他实施例的用于制造半导体器件的方法的流程图；

图5是根据本发明的一些实施例的示出用于制造半导体器件的系统的示意图；和

图6是根据本发明的一些其它实施例的示出图5的混合器的示意图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。