[发明专利]阵列基板及其制造方法、OLED结构

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，包括：

提供一基底；

在所述基底上依次形成第一电极层、第一介质层和第二电极层，获得电容结构，所述第一电极层和第二电极层均由多孔石墨烯制成；以及

在所述第二电极层上依次形成第二介质层、多晶硅层、第三介质层及栅极金属层；其中，所述第二电极层用于作为所述多晶硅层的底栅，所述栅极金属层用于作为所述多晶硅层的顶栅，以构成双栅结构；

其中，在获得电容结构之前，还包括：在所述基底上形成一层整面的第一金属层作为电源电压走线。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，获得电容结构的步骤包括：

采用化学气相沉积工艺形成第一石墨烯材料层；

光刻刻蚀所述第一石墨烯材料层，并采用激光照射，形成所述第一电极层；

在所述第一电极层周围形成第二绝缘层，所述第二绝缘层与所述第一电极层上表面齐平；

采用化学气相沉积工艺形成第一介质层；

采用化学气相沉积工艺在所述第一介质层上形成第二石墨烯材料层；

光刻刻蚀所述第一石墨烯材料层，并采用激光照射，形成所述第二电极层。

3.如权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一介质层的材料为聚酰亚胺，厚度为5μm～10μm。

4.如权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在提供一基底之后、获得电容结构之前，还包括：

在所述第一金属层上形成第一绝缘层。

5.如权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一金属层的材质为钼，厚度为

6.如权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述绝缘层中形成有开口，所述第一电极层填充所述开口并与所述第一金属层相连接。

7.如权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述第二电极层上依次形成第二介质层、多晶硅层、第三介质层及栅极金属层的步骤包括：

采用化学气相沉积工艺形成第二介质层，覆盖第一介质层和第二电极层；

经过光刻刻蚀工艺去除第二电极层一侧的部分第二介质层；

形成开口，所述开口形成于被去除了第二介质层的一侧，贯穿所述第一介质层、第二绝缘层及第一绝缘层，暴露出所述第一金属层；

采用化学气相沉积工艺形成多晶硅层，所述多晶硅层填充满所述开口，与所述第一金属层相连接，并位于所述开口一侧的第一介质层上和电容结构上方的部分第二介质层上；

采用化学气相沉积工艺形成第三介质层，所述第三介质层覆盖所述多晶硅层，且在电容结构上方与所述第二介质层相结合，实现对多晶硅层的密封；

采用物理气相沉积工艺形成栅极金属层，所述栅极金属层形成于所述电容结构上方的第三介质层上。

8.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述第二电极层上依次形成第二介质层、多晶硅层、第三介质层及栅极金属层之后，还包括：

形成第四介质层覆盖所述第三介质层、栅极金属层及第二介质层；

形成覆盖层覆盖所述第四介质层；

形成第二金属层，所述第二金属层穿透所述覆盖层、第四介质层、第三介质层和第二介质层与所述第二电极层相连接。

9.一种阵列基板，利用如权利要求1至8中任一项所述的方法形成，所述阵列基板包括：

一基底；

依次形成在所述基底上的用于作为电源电压走线的第一金属层以及电容结构，所述电容结构包括第一电极层、第二电极层及位于所述第一电极层和第二电极层之间的第一介质层，所述第一电极层和第二电极层为多孔石墨烯材质；

形成在所述第二电极层上依次部分层叠的第二介质层、多晶硅层、第三介质层及栅极金属层，其中，所述第二电极层用于作为所述多晶硅层的底栅，所述栅极金属层用于作为所述多晶硅层的顶栅，以构成双栅结构。

10.一种OLED结构，包括：

如权利要求9所述的阵列基板；

形成在所述阵列基板上的阳极和像素限定层；

形成在所述阳极上所述像素限定层之间的OLED器件；

形成在所述OLED器件上的阴极；以及

覆盖所述阴极和像素限定层的封装层。