[发明专利]一种纳米线条的修复方法有效
| 申请号： | 201610866043.7 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107887258B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 黄洛俊;景玉鹏;康恒;李勇滔 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 11302 北京华沛德权律师事务所 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 线条 修复 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种纳米线条的修复方法，其特征在于，包括如下步骤：
将具有光刻胶纳米线条的硅片放在电子显微镜下观察是否有坍塌或粘连的光刻胶纳米线条；
将有坍塌或粘连的光刻胶纳米线条的硅片放在兆声波发生器的支架上，将去离子水放入温度可控的所述兆声波发生器的容器中；
确定所述去离子水的温度设定值；
待所述兆声波发生器对所述去离子水的控制温度达到所述温度设定值，设定所述兆声波发生器的工作时间后开启所述兆声波发生器；
所述兆声波发生器在设定工作时间结束后，取出所述硅片并干燥，即可获得修复后的光刻胶图形；
所述兆声波发生器超声波频率为2.7M赫兹。
2.如权利要求1所述的修复方法，其特征在于：所述去离子水的温度设定值为20-100℃。
3.如权利要求1所述的修复方法，其特征在于：所述兆声波发生器的工作时间设置为5-120分钟。
4.如权利要求1所述的修复方法，其特征在于：取出所述硅片后，将所述硅片放在电子加热板上干燥20分钟，所述电子加热板的温度设定为100℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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