[发明专利]电子部件用Cu‑Co‑Ni‑Si合金在审
申请号: | 201610866699.9 | 申请日: | 2016-09-30 |
公开(公告)号: | CN106995890A | 公开(公告)日: | 2017-08-01 |
发明(设计)人: | 堀江弘泰 | 申请(专利权)人: | JX金属株式会社 |
主分类号: | C22C9/06 | 分类号: | C22C9/06;C22F1/08 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 李炳爱 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 部件 cu co ni si 合金 | ||
1.电子部件用Cu-Co-Ni-Si合金,其含有0.5~3.0质量%的Co和0.1~1.0质量%的Ni,以Ni相对于Co的浓度(质量%)比(Ni/Co)达到0.1~1.0的方式进行调整,并且以(Co+Ni)/Si质量比达到3~5的方式含有Si,并且余量由Cu和不可避免的杂质构成,对至少100个第二相粒子进行测定得到的Co相对于Ni的浓度比(Co/Ni)的变动系数为20%以下。
2.权利要求1所述的合金,其进一步含有总计最大1.0质量%的选自Fe、Mg、Sn、Zn、B、P、Cr、Zr、Ti、Al和Mn中的至少一种。
3.权利要求1或2所述的合金,其中,粒径为5~30nm的第二相粒子的个数平均为3.0×108个/mm2以上。
4.权利要求1~3中任一项所述的合金,其中,在与轧制方向平行的方向上的0.2%屈服强度为650MPa以上,并且导电率为50%IACS以上。
5.权利要求1~4中任一项所述的合金,其中,以弯曲半径(R)/板厚(t)=1.0在Badway(弯曲轴与轧制方向为同一方向)下进行W弯曲试验时的弯曲部表面的平均粗糙度Ra为1.0μm以下。
6.电子部件,其具备权利要求1~5中任一项所述的合金。
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