[发明专利]电子部件用Cu‑Co‑Ni‑Si合金

说明书

技术领域

本发明涉及适合用于电子部件、特别是连接器、电池端子、插孔、继电器、开关、引线框架等的电子部件用Cu-Co-Ni-Si合金。

背景技术

以往，一般而言作为电气·电子设备用材料，除了铁系材料之外，还广泛使用电子导电性和导热性优异的磷青铜、红色黄铜（丹銅）、黄铜等铜系材料。近年，针对电气·电子设备的小型化、轻量化、高性能化、进一步伴随这些的高密度安装化的要求提高，对适用于其的铜系材料也要求多种特性。

伴随部件的小型化，推进了材料的薄壁化，要求材料强度的提高。在继电器等的用途中，对疲劳特性的要求提高，需要提高强度。此外，伴随部件的小型化，弯曲加工时的条件变得严苛，在具备高强度的同时还要求弯曲加工性优异。进一步，对部件而言，在进行加工后，伴随通电量的上升而存在发热的情况，从抑制发热的观点出发，要求提高导电率。

在专利文献1中，公开了弯曲加工性、强度、导电率的平衡优异的Cu-Ni-Co-Si系合金，将板表面的来自{111}面的衍射强度设为I{111}、来自{200}面的衍射强度设为I{200}、来自{220}面的衍射强度设为I{220}、来自{311}面的衍射强度设为I{311}、这些衍射强度当中来自{200}面的衍射强度的比例为R{200}=I{200}/(I{111}+I{200}+I{220}+I{311})时，R{200}为0.3以上。

在专利文献2中，公开了高强度、且具有良好的弯曲加工性、并且还为高导电率的本发明的电气电子部件用铜合金板材，具体而言，公开了下述技术：在基于SEM-EBSD法的测定结果中，以立方(Cube)取向起算的偏离角度(取向差)小于15°的晶粒的面积率小于10%，并且以立方取向起算的偏离角度为15~30°的晶粒的面积率为15%以上，由此兼顾强度和弯曲加工性。

现有技术文献

专利文献：

专利文献1：日本特开2009-007666号公报

专利文献2：国际公开第2011/068124号。

发明内容

发明所要解决的课题

然而，根据专利文献1的记载，由于在完成所有步骤的最终状态下的R{200}很大程度上取决于材料的再结晶中所发展出的结晶取向，所述材料的再结晶在制造步骤当中的最后的中间固溶热处理中发生，因此优选适当地调整该最后的中间固溶热处理之前的步骤，具体而言，进行50%以上的加工率的冷轧，进行使其部分再结晶或者可以得到平均晶粒直径为5μm以下的再结晶组织那样的热处理，接着在50%以下的加工率的冷轧之后，进行最后的中间固溶热处理，由此可以实现所期望的衍射强度。

此外，在专利文献2中记载了下述内容：经历铸造、热轧、冷轧1、中间退火、冷轧2、固溶热处理、冷轧3、时效热处理、完成冷轧、低温退火的各步骤而进行制造时，使冷轧1的轧制率为70%以上，此外，在600~1000℃下以5秒至300秒进行固溶处理，此外，进行5~40%的轧制率的冷轧3，由此形成所期望的集合组织，特别地记载了下述内容：在冷轧3中，通过冷轧辊的粗糙度不同的辊来实施异摩擦轧制是有效的。

今后，对科森(Corson)铜合金除要求高强度且高导电之外还要求弯曲性、以及一般而言难以兼顾强度和弯曲性，从提高可靠性的观点出发，还留有改善的余地。

解决课题的手段

本发明人经深入研讨的结果是，在Cu-Co-Ni-Si合金中，如果可以使析出物的组成统一，则位错变得相同，弯曲加工时的应力变得得以分散，从期待提高弯曲加工性的观点出发，发现了最适合的固溶处理条件，从而完成了本发明。

即，本发明是：

(1) 电子部件用Cu-Co-Ni-Si合金，其含有0.5~3.0质量%的Co和0.1~1.0质量%的Ni，以Ni相对于Co的浓度(质量%)比(Ni/Co)达到0.1~1.0的方式进行调整，并且以(Co+Ni)/Si质量比达到3~5的方式含有Si，并且余量由Cu和不可避免的杂质构成，对至少100个第二相粒子进行测定得到的Co相对于Ni的浓度比(Co/Ni)的变动系数为20%以下。

(2) 如(1)所述的合金，其进一步含有总计最大1.0质量%的选自Fe、Mg、Sn、Zn、B、P、Cr、Zr、Ti、Al和Mn中的至少一种。

(3) 如(1)或(2)所述的合金，其中，粒径为5~30nm的第二相粒子的个数平均为3.0×10⁸个/mm²以上。