[发明专利]发光二极管与其制作方法

权利要求书

1.一种尺寸小于100微米乘以100微米的微型发光二极管，其特征在于，包含：

第一型半导体层；

第二型半导体层，连接于所述第一型半导体层，所述第一型半导体层的电流扩散长度小于所述第二型半导体层的电流扩散长度；

电流控制结构，连接于所述第一型半导体层，且在其内具有至少一个电流注入区域，所述电流控制结构为边缘隔离结构，并符合不等式：L/AL’/A’，其中L为由垂直于所述第一型半导体层的方向观看时所述第一型半导体层的边缘的原周长，A为由所述方向观看时所述第一型半导体层的原面积，L’为由所述方向观看时所述第一型半导体层的所述边缘未被所述边缘隔离结构覆盖的周长，而A’为由所述方向观看时所述第一型半导体层未被所述边缘隔离结构覆盖的面积；

第一电极，通过所述电流控制结构的所述电流注入区域而电性连接至所述第一型半导体层；以及

第二电极，电性连接至所述第二型半导体层。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述电流控制结构包含：

至少一个非活化区，位于所述第一型半导体层中，且定义出所述电流注入区域；

其中所述第一型半导体层包含：

至少一个活化区，位于所述电流注入区域中，其中所述活化区的电阻率小于所述非活化区的电阻率。

3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一型半导体层具有表面，且所述第一型半导体层的所述表面朝向所述第二型半导体层，其中所述非活化区延伸至所述第一型半导体层的所述表面。

4.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一型半导体层的一部分的电阻率小于所述非活化区的电阻率，且所述第一型半导体层的所述部分位于所述非活化区与所述第二型半导体层之间。

5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，位于所述非活化区与所述第二型半导体层之间的所述第一型半导体层的所述部分的电阻率大于所述活化区的电阻率。

6.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述非活化区的表面及所述活化区的表面朝向所述第一电极，且所述非活化区的所述表面及所述活化区的所述表面为实质上共平面。

7.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述电流注入区域为导电通道，且所述导电通道自所述第一型半导体的朝向所述第一电极的表面朝所述第一型半导体的远离所述第一电极的另一表面延伸。

8.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一型半导体层具有电阻率，且落于所述电流注入区域之中的所述第一型半导体层的电阻率为其电阻率的最小值，且位于所述电流注入区域边缘的所述第一型半导体层的电阻率自所述电流注入区域的外部至所述电流注入区域的内部逐渐降低。

9.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述电流控制结构包含：

至少一个非活化区，位于所述第一型半导体层中，且定义出所述电流注入区域；

其中所述第一型半导体层包含：

至少一个活化区，位于所述电流注入区域之中，所述活化区的氮空位密度小于所述非活化区的氮空位密度。

10.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述电流控制结构包含：

至少一个非活化区，位于所述第一型半导体层中，且定义出所述电流注入区域；

其中所述第一型半导体层包含：

至少一个活化区，位于所述电流注入区域中，其中所述活化区的载流子浓度大于所述非活化区的载流子浓度。

11.如权利要求10所述的发光二极管，其特征在于，所述非活化区的载流子浓度的其中至少一个为空穴浓度及电子浓度的其中一个。

12.如权利要求10所述的发光二极管，其特征在于，所述非活化区的载流子浓度自所述电流控制结构与所述第一电极之间的界面至所述第二型半导体层逐渐增加。